რა შემიძლია გავაკეთო ჩემი MOSFET-ის გამოსასწორებლად, რომელიც ცუდად თბება?

MOSFETმცირე დენის გათბობის მიზეზები

1, პრობლემის სქემის პრინციპი არის ის, რომ MOSFET-მა იმუშაოს მუშაობის ხაზოვან მდგომარეობაში, ვიდრე გადართვის სიტუაციაში. ეს ასევე არის MOSFET სიცხის მიზეზი. თუ N-MOS ჩართვა, G-დონის საოპერაციო ძაბვა, ვიდრე გადართვის დენის მიწოდება რამდენიმე V, რათა იყოს მთლიანად ჩართული და გამორთული, P-MOS არის პირიქით. მთლიანად არ არის ჩართული და დანაკარგი ძალიან დიდია, რის შედეგადაც გამომავალი სიმძლავრე იშლება, ექვივალენტური მიკროსქემის DC დამახასიათებელი წინაღობა უფრო დიდია, დანაკარგი გაფართოვდა, ამიტომ U * I ასევე გაფართოვდა, გამოფიტვა წარმოადგენს სითბოს. ეს არის ასევე ყველაზე აცილებული არასწორი დიზაინის პროგრამის მართვის წრე.

2, სიხშირე ძალიან მაღალია, ძირითადად ხანდახან ძალიან ბევრი დევნა სრულყოფილი მოცულობის, რის შედეგადაც სიხშირე გაფართოება, MOSFET გაფართოების მოხმარება, ასე რომ სითბო ასევე გაიზარდა.

3, არ გავაკეთე საკმარისი სითბოს გამორიცხვის დიზაინის პროგრამა, დენი ძალიან მაღალია, MOSFET-ის ტოლერანტობის მიმდინარე მნიშვნელობა, ზოგადად უნდა შეინარჩუნოს კარგი სითბოს გამორიცხვა შეიძლება გაკეთდეს. აქედან გამომდინარე, ID უფრო დაბალია ვიდრე უფრო მაღალი დენი, ის ასევე სავარაუდოდ გაცხელდება უფრო სერიოზული, საკმარისი უნდა იყოს სითბოს ჩაძირვის დასახმარებლად.

4, MOSFET-ის მოდელის შერჩევა არ არის სწორი, გამომავალი სიმძლავრე არ არის სწორი, MOSFET-ის წინააღმდეგობა არ არის გათვალისწინებული, რაც იწვევს გადართვის დამახასიათებელი წინაღობის გაფართოებას.

MOSFET მცირე დენის გათბობა უფრო სერიოზულია როგორ მოვაგვაროთ?