გაიგე MOSFET-ის მუშაობის პრინციპი და გამოიყენე ელექტრონული კომპონენტები უფრო ეფექტურად

MOSFET-ების (მეტალის ოქსიდი-ნახევრგამტარული ველის ეფექტის ტრანზისტორების) ოპერაციული პრინციპების გაგება გადამწყვეტია ამ მაღალი ეფექტურობის ელექტრონული კომპონენტების ეფექტურად გამოყენებისთვის. MOSFET-ები ელექტრონული მოწყობილობების შეუცვლელი ელემენტებია და მათი გაგება აუცილებელია მწარმოებლებისთვის.

პრაქტიკაში, არსებობენ მწარმოებლები, რომლებმაც შესაძლოა სრულად ვერ შეაფასონ MOSFET-ების სპეციფიკური ფუნქციები მათი გამოყენების დროს. მიუხედავად ამისა, ელექტრონულ მოწყობილობებში MOSFET-ების მუშაობის პრინციპებისა და მათი შესაბამისი როლების გაცნობიერებით, შეიძლება სტრატეგიულად აირჩიოთ ყველაზე შესაფერისი MOSFET, მისი უნიკალური მახასიათებლებისა და პროდუქტის სპეციფიკური მახასიათებლების გათვალისწინებით. ეს მეთოდი აძლიერებს პროდუქტის ეფექტურობას, აძლიერებს მის კონკურენტუნარიანობას ბაზარზე.

WINSOK SOT-23-3 პაკეტი MOSFET

MOSFET-ის მუშაობის პრინციპები

როდესაც MOSFET-ის კარიბჭის წყაროს ძაბვა (VGS) ნულის ტოლია, თუნდაც სადრენაჟო წყაროს ძაბვის (VDS) გამოყენების შემთხვევაში, ყოველთვის არის PN შეერთება საპირისპირო მიკერძოებაში, რის შედეგადაც არ არის გამტარ არხი (და არ არის დენი) შორის. MOSFET-ის გადინება და წყარო. ამ მდგომარეობაში MOSFET-ის გადინების დენი (ID) ნულის ტოლია. კარიბჭესა და წყაროს შორის დადებითი ძაბვის გამოყენება (VGS > 0) ქმნის ელექტრულ ველს SiO2 საიზოლაციო ფენაში MOSFET-ის კარიბჭესა და სილიკონის სუბსტრატს შორის, რომელიც მიმართულია კარიბჭიდან P-ტიპის სილიკონის სუბსტრატისკენ. იმის გათვალისწინებით, რომ ოქსიდის ფენა იზოლირებულია, კარიბჭეზე გამოყენებული ძაბვა, VGS, ვერ წარმოქმნის დენს MOSFET-ში. ამის ნაცვლად, ის ქმნის კონდენსატორს ოქსიდის ფენის გასწვრივ.

VGS თანდათან იზრდება, კონდენსატორი იტენება, რაც ქმნის ელექტრულ ველს. კარიბჭეზე დადებითი ძაბვით მიზიდული მრავალი ელექტრონი გროვდება კონდენსატორის მეორე მხარეს, რომლებიც ქმნიან N- ტიპის გამტარ არხს დრენაჟიდან წყარომდე MOSFET-ში. როდესაც VGS აჭარბებს VT ძაბვის ზღურბლს (როგორც წესი, დაახლოებით 2 ვ), MOSFET-ის N-არხი ატარებს, რაც იწყებს გადინების დენის ID-ის ნაკადს. კარიბჭის წყაროს ძაბვა, რომლითაც არხი იწყებს ფორმირებას, მოიხსენიება, როგორც ზღვრული ძაბვა VT. VGS-ის სიდიდის და, შესაბამისად, ელექტრული ველის კონტროლით, MOSFET-ში სადრენაჟო დენის ID-ის ზომა შეიძლება მოდულირებული იყოს.

WINSOK DFN5x6-8 პაკეტი MOSFET

MOSFET აპლიკაციები

MOSFET ცნობილია თავისი შესანიშნავი გადართვის მახასიათებლებით, რაც განაპირობებს მის ფართო გამოყენებას სქემებში, რომლებიც საჭიროებენ ელექტრონულ გადამრთველებს, როგორიცაა გადართვის რეჟიმის კვების წყაროები. დაბალი ძაბვის აპლიკაციებში 5 ვ ელექტრომომარაგების გამოყენებით, ტრადიციული სტრუქტურების გამოყენება იწვევს ძაბვის ვარდნას ბიპოლარული შეერთების ტრანზისტორის საბაზო ემიტერზე (დაახლოებით 0,7 ვ), ტოვებს მხოლოდ 4,3 ვოლტს საბოლოო ძაბვისთვის, რომელიც გამოიყენება კარიბჭეზე. MOSFET. ასეთ სცენარებში MOSFET-ის არჩევა ნომინალური კარიბჭის ძაბვით 4.5 ვ იწვევს გარკვეულ რისკებს. ეს გამოწვევა ასევე ვლინდება აპლიკაციებში, რომლებიც მოიცავს 3 ვ ან სხვა დაბალი ძაბვის დენის წყაროს.