გადახედეთ MOSFET-ებს

MOSFET-ები არის MOSFET-ების იზოლაცია ინტეგრირებულ სქემებში. MOSFET-ები, როგორც ერთ-ერთი ყველაზე ძირითადი მოწყობილობანახევარგამტარი სფეროში, ფართოდ გამოიყენება დაფის დონის სქემებში, ასევე IC დიზაინში. გადინება და წყაროMOSFET-ები შეიძლება შეიცვალოს და იქმნება P-ტიპის უკანა კარიბჭეში N- ტიპის რეგიონით. ზოგადად, ორი წყარო ურთიერთშემცვლელია, ორივე ქმნის N- ტიპის რეგიონსP-ტიპის უკანა კარი. ზოგადად, ეს ორი ზონა ერთნაირია და ამ ორი განყოფილების გადართვის შემთხვევაშიც კი, მოწყობილობის მუშაობა არ იმოქმედებს. ამიტომ, მოწყობილობა ითვლება სიმეტრიულად.

პრინციპი:

MOSFET იყენებს VGS-ს „გამოწვეული მუხტის“ ოდენობის გასაკონტროლებლად, რათა შეცვალოს გამტარი არხის მდგომარეობა, რომელიც წარმოიქმნება ამ „გამოწვეული მუხტების“ მიერ, რათა გააკონტროლოს გადინების დენი. MOSFET-ების წარმოებისას დიდი რაოდენობით დადებითი იონები ჩნდება საიზოლაციო ფენაში სპეციალური პროცესების მეშვეობით, ასე რომ, უფრო მეტი უარყოფითი მუხტი შეინიშნება ინტერფეისის მეორე მხარეს და მაღალი გამტარიანობის მინარევების N-რეგიონი დაკავშირებულია ეს უარყოფითი მუხტები, და გამტარი არხი იქმნება, და შედარებით დიდი გადინების დენი, ID, წარმოიქმნება მაშინაც კი, თუ VGS არის 0. თუ კარიბჭის ძაბვა არის შეიცვალა, ასევე იცვლება არხში ინდუცირებული მუხტის რაოდენობა და იმავე ზომით იცვლება გამტარი არხის სიგანე. თუ კარიბჭის ძაბვა შეიცვლება, არხში ინდუცირებული დამუხტვის რაოდენობაც შეიცვლება და გამტარ არხში სიგანეც შეიცვლება, ამიტომ სანიაღვრე დენის ID შეიცვლება კარიბჭის ძაბვასთან ერთად.

როლი:

1. მისი გამოყენება შესაძლებელია გამაძლიერებლის წრეზე. MOSFET გამაძლიერებლის მაღალი შეყვანის წინაღობის გამო, დაწყვილების ტევადობა შეიძლება იყოს უფრო მცირე და ელექტროლიტური კონდენსატორების გამოყენება შეუძლებელია.

მაღალი შეყვანის წინაღობა შესაფერისია წინაღობის კონვერტაციისთვის. ხშირად გამოიყენება წინაღობის კონვერტაციისთვის მრავალსაფეხურიანი გამაძლიერებლების შეყვანის ეტაპზე.

3, ის შეიძლება გამოყენებულ იქნას როგორც ცვლადი რეზისტორი.

4, შეიძლება გამოყენებულ იქნას როგორც ელექტრონული გადამრთველი.

MOSFET-ები ახლა გამოიყენება აპლიკაციების ფართო სპექტრში, მათ შორის მაღალი სიხშირის თავები ტელევიზორებში და გადართვის დენის წყაროებში. დღესდღეობით, ბიპოლარული ჩვეულებრივი ტრანზისტორები და MOS შერწყმულია ერთმანეთში IGBT (იზოლირებული კარიბჭის ბიპოლარული ტრანზისტორი), რომელიც ფართოდ გამოიყენება მაღალი სიმძლავრის ადგილებში, ხოლო MOS ინტეგრირებულ სქემებს აქვთ დაბალი ენერგიის მოხმარების მახასიათებელი და ახლა CPU-ები ფართოდ გამოიყენება MOS სქემები.