რატომ არის ყოველთვის რთული მაღალი სიმძლავრის MOSFET-ის გამოყენება და ჩანაცვლება მულტიმეტრით?

მაღალი სიმძლავრის MOSFET-ის შესახებ იყო ერთ-ერთი ინჟინერი, რომელსაც სურს ამ თემის განხილვა, ამიტომ ჩვენ მოვაწყვეთ საერთო და არაჩვეულებრივი ცოდნა.MOSFETიმედი მაქვს ინჟინრებს დავეხმარები. მოდით ვისაუბროთ MOSFET-ზე, ძალიან მნიშვნელოვან კომპონენტზე!

ანტისტატიკური დაცვა

მაღალი სიმძლავრის MOSFET არის იზოლირებული კარიბჭის ველის ეფექტის მილი, კარიბჭე არ არის პირდაპირი დენის წრე, შეყვანის წინაღობა ძალიან მაღალია, ძალიან ადვილია გამოიწვიოს სტატიკური მუხტის აგრეგაცია, რის შედეგადაც მაღალი ძაბვა იქნება კარიბჭე და წყარო. საიზოლაციო ფენა ავარიას შორის.

MOSFET-ების ადრეული წარმოების უმეტესობას არ გააჩნია ანტისტატიკური ზომები, ამიტომ იყავით ძალიან ფრთხილად შენახვისა და გამოყენებისას, განსაკუთრებით მცირე სიმძლავრის MOSFET-ების, მცირე სიმძლავრის გამო MOSFET-ის შეყვანის ტევადობა შედარებით მცირეა, სტატიკური ელექტროენერგიის ზემოქმედებისას წარმოიქმნება უფრო მაღალი ძაბვა, რომელიც ადვილად გამოწვეულია ელექტროსტატიკური ავარიით.

მაღალი სიმძლავრის MOSFET-ის ბოლოდროინდელი გაძლიერება შედარებით დიდი განსხვავებაა, უპირველეს ყოვლისა, იმის გამო, რომ უფრო დიდი შეყვანის ტევადობა ასევე უფრო დიდია, ამიტომ სტატიკური ელექტროენერგიასთან კონტაქტს აქვს დატენვის პროცესი, რის შედეგადაც ხდება მცირე ძაბვა, რაც იწვევს ავარიას. უფრო მცირე, და შემდეგ ისევ, ახლა მაღალი სიმძლავრის MOSFET შიდა კარიბჭეში და კარიბჭის წყარო და დაცული რეგულატორის წყარო DZ, სტატიკური ჩართული რეგულატორის დაცვაში დიოდის ძაბვის რეგულატორის მნიშვნელობა ქვემოთ, ეფექტურად დაიცავით საიზოლაციო ფენის კარიბჭე და წყარო, სხვადასხვა სიმძლავრე, MOSFET დაცვის რეგულატორის სხვადასხვა მოდელების დიოდური ძაბვის რეგულატორის მნიშვნელობა განსხვავებულია.

მიუხედავად იმისა, რომ მაღალი სიმძლავრის MOSFET შიდა დაცვის ზომებია, ჩვენ უნდა ვიმოქმედოთ ანტისტატიკური ოპერაციული პროცედურების შესაბამისად, რაც უნდა ჰქონდეს კვალიფიციურ ტექნიკურ პერსონალს.

გამოვლენა და ჩანაცვლება

ტელევიზორებისა და ელექტრული აღჭურვილობის შეკეთებისას, შეგხვდებათ სხვადასხვა კომპონენტის დაზიანება,MOSFETასევე მათ შორისაა, რითაც ჩვენი ტექნიკური პერსონალი იყენებს ჩვეულებრივ მულტიმეტრს კარგი და ცუდი, კარგი და ცუდი MOSFET-ის დასადგენად. MOSFET-ის გამოცვლაში თუ არ არის იგივე მწარმოებელი და იგივე მოდელი, როგორ შევცვალო პრობლემა.

 

1, მაღალი სიმძლავრის MOSFET ტესტი:

როგორც ზოგადი ელექტრო ტელევიზორის სარემონტო პერსონალი კრისტალური ტრანზისტორების ან დიოდების გაზომვისას, ჩვეულებრივ იყენებს ჩვეულებრივ მულტიმეტრს კარგი და ცუდი ტრანზისტორების ან დიოდების დასადგენად, თუმცა ტრანზისტორის ან დიოდის ელექტრული პარამეტრების შეფასება არ შეიძლება დადასტურდეს, მაგრამ სანამ მეთოდი სწორია კრისტალური ტრანზისტორების "კარგი" და "ცუდი" ან "ცუდი" კრისტალური ტრანზისტორების დასადასტურებლად. "ცუდი" ან პრობლემა არ არის. ანალოგიურად, MOSFET ასევე შეიძლება იყოს

მულტიმეტრის გამოყენება, რათა დადგინდეს მისი "კარგი" და "ცუდი", ზოგადი შენარჩუნებიდან, ასევე შეიძლება დააკმაყოფილოს საჭიროებები.

დეტექტორმა უნდა გამოიყენოს მაჩვენებლის ტიპის მულტიმეტრი (ციფრული მრიცხველი არ არის შესაფერისი ნახევარგამტარული მოწყობილობების გასაზომად). სიმძლავრის ტიპის MOSFET გადართვის მილისთვის არის N-არხის გამაძლიერებელი, მწარმოებლების პროდუქტები თითქმის ყველა იყენებს იმავე TO-220F პაკეტის ფორმას (იგულისხმება გადართვის ელექტრომომარაგება ველის ეფექტის გადართვის მილის 50-200 ვტ სიმძლავრისთვის) , სამი ელექტროდის მოწყობა ასევე თანმიმდევრულია, ანუ სამი

ქინძისთავები ქვემოთ, ამობეჭდილი მოდელი საკუთარი თავისკენ, მარცხენა ქინძისთავი კარიბჭისთვის, მარჯვენა სატესტო ქინძისთავით წყაროსთვის, შუა ქინძისთავი გადინებისთვის.

(1) მულტიმეტრი და მასთან დაკავშირებული პრეპარატები:

უპირველეს ყოვლისა, სანამ გაზომვამ უნდა შეძლოს მულტიმეტრის გამოყენება, განსაკუთრებით ომ გადაცემის გამოყენება, ომ ბლოკის გასაგებად იქნება ომ ბლოკის სწორი გამოყენება ბროლის ტრანზისტორის გასაზომად დაMOSFET.

მულტიმეტრიანი Ohm ბლოკით Ohm-ის ცენტრის მასშტაბი არ შეიძლება იყოს ძალიან დიდი, სასურველია 12 Ω-ზე ნაკლები (500 ტიპის ცხრილი 12 Ω-სთვის), ისე რომ R × 1 ბლოკში შეიძლება ჰქონდეს უფრო დიდი დენი, წინსვლის PN შეერთებისთვის. განაჩენის მახასიათებლები უფრო ზუსტია. მულტიმეტრი R × 10K ბლოკის შიდა ბატარეა საუკეთესოა 9 ვ-ზე მეტი, ასე რომ PN კავშირის გაზომვისას შებრუნებული გაჟონვის დენი უფრო ზუსტია, წინააღმდეგ შემთხვევაში გაჟონვის გაზომვა შეუძლებელია.

ახლა წარმოების პროცესის პროგრესის გამო, ქარხნის სკრინინგი, ტესტირება ძალიან მკაცრია, ჩვენ ზოგადად ვიმსჯელებთ მანამ, სანამ MOSFET-ის გადაწყვეტილება არ გაჟონავს, არ არღვევს მოკლე ჩართვას, შეიძლება იყოს შიდა არამიმოქცევა. გზაში გაძლიერებული მეთოდი ძალიან მარტივია:

მულტიმეტრის R × 10K ბლოკის გამოყენება; R × 10K ბლოკის შიდა ბატარეა ზოგადად არის 9V პლუს 1.5V-დან 10.5V-მდე, ეს ძაბვა ზოგადად მიჩნეულია, რომ საკმარისია PN კავშირის ინვერსიული გაჟონვა, მულტიმეტრის წითელი კალამი არის უარყოფითი პოტენციალი (დაკავშირებულია შიდა ბატარეის უარყოფით ტერმინალთან), მულტიმეტრის შავი კალამი დადებითი პოტენციალია (დაკავშირებულია შიდა ბატარეის დადებით ტერმინალთან).

(2) ტესტირების პროცედურა:

შეაერთეთ წითელი კალამი MOSFET S-ის წყაროსთან; დააკავშირეთ შავი კალამი MOSFET D-ის დრენაჟთან. ამ დროს ნემსის ჩვენება უნდა იყოს უსასრულო. თუ არსებობს ომური ინდექსი, რომელიც მიუთითებს, რომ ტესტირებულ მილს აქვს გაჟონვის ფენომენი, ამ მილის გამოყენება შეუძლებელია.

შეინარჩუნეთ ზემოაღნიშნული მდგომარეობა; ამ დროს 100K ~ 200K რეზისტორით, რომელიც დაკავშირებულია ჭიშკართან და დრენაჟთან; ამ დროს ნემსი უნდა მიუთითებდეს ომების რაოდენობაზე, რაც უფრო მცირეა მით უკეთესი, ზოგადად შეიძლება მიეთითოს 0 ომზე, ამჯერად ეს არის დადებითი მუხტი 100K რეზისტორის მეშვეობით MOSFET კარიბჭის დამუხტვაზე, რაც იწვევს კარიბჭის ელექტრული ველის გამო. გამტარი არხის მიერ წარმოქმნილი ელექტრული ველი, რის შედეგადაც ხდება გადინების და წყაროს გამტარობა, ამიტომ მულტიმეტრის ნემსის გადახრა, გადახრის კუთხე დიდია (Ohm-ის ინდექსი მცირეა), რათა დაამტკიცოს, რომ გამონადენის შესრულება კარგია.

და შემდეგ დაკავშირებული resistor ამოღებულია, მაშინ მულტიმეტრი მაჩვენებელი მაინც უნდა იყოს MOSFET ინდექსი უცვლელი რჩება. მიუხედავად იმისა, რომ რეზისტორს წაართმევს, მაგრამ იმის გამო, რომ მუხტით დამუხტული კარიბჭის რეზისტორი არ ქრება, კარიბჭის ელექტრული ველი აგრძელებს შიდა გამტარ არხის შენარჩუნებას, რაც არის MOSFET ტიპის იზოლირებული კარიბჭის მახასიათებლები.

თუ ნემსის წაღება რეზისტორს ნელა და თანდათან უბრუნდება მაღალ წინააღმდეგობას ან თუნდაც უსასრულობას, ჩათვალეთ, რომ გაზომილი მილის კარიბჭე გაჟონავს.

ამ დროს მავთულის საშუალებით, რომელიც დაკავშირებულია შესამოწმებელი მილის ჭიშკართან და წყაროსთან, მულტიმეტრის მაჩვენებელი მაშინვე უსასრულობაში დაბრუნდა. მავთულის შეერთება ისე, რომ გაზომილი MOSFET, კარიბჭის მუხტის გათავისუფლება, შიდა ელექტრული ველი ქრება; გამტარი არხი ასევე ქრება, ამიტომ გადინება და წყარო წინააღმდეგობას შორის ხდება უსასრულო.

2, მაღალი სიმძლავრის MOSFET ჩანაცვლება

ტელევიზორებისა და ყველა სახის ელექტრული აღჭურვილობის შეკეთებისას, კომპონენტის დაზიანება უნდა შეიცვალოს იგივე ტიპის კომპონენტებით. თუმცა, ზოგჯერ ერთი და იგივე კომპონენტები ხელთ არ არის, საჭიროა სხვა ტიპის ჩანაცვლების გამოყენება, ასე რომ, ჩვენ უნდა გავითვალისწინოთ შესრულების ყველა ასპექტი, პარამეტრი, ზომები და ა.შ., როგორიცაა ტელევიზია ხაზის გამომავალი მილის შიგნით, როგორც სანამ ძაბვის, დენის, სიმძლავრის გათვალისწინება შეიძლება ზოგადად შეიცვალოს (ხაზის გამომავალი მილის თითქმის იგივე გარეგნობის ზომები) და სიმძლავრე უფრო დიდი და უკეთესი იქნება.

MOSFET-ის ჩანაცვლებისთვის, თუმცა ასევე ეს პრინციპია, უმჯობესია საუკეთესოს პროტოტიპირება, კერძოდ, ნუ ეცდებით სიმძლავრის უფრო დიდს, რადგან სიმძლავრე დიდია; შეყვანის ტევადობა დიდია, შეცვლილია და აგზნების სქემები არ ემთხვევა სარწყავი წრის დამუხტვის დენის შემზღუდველი რეზისტორების აგზნებას წინააღმდეგობის მნიშვნელობის ზომისა და MOSFET-ის შეყვანის ტევადობა დაკავშირებულია დიდი სიმძლავრის არჩევასთან, მიუხედავად იმისა, რომ ტევადობა დიდია, მაგრამ შეყვანის ტევადობა ასევე დიდია და შეყვანის ტევადობა ასევე დიდია და სიმძლავრე დიდი არ არის.

შეყვანის ტევადობა ასევე დიდია, აგზნების წრე არ არის კარგი, რაც თავის მხრივ გააუარესებს MOSFET-ის ჩართვასა და გამორთვას მუშაობას. აჩვენებს MOSFET-ების სხვადასხვა მოდელების ჩანაცვლებას, ამ პარამეტრის შეყვანის ტევადობის გათვალისწინებით.

მაგალითად, არის 42 დიუმიანი LCD ტელევიზორის უკანა განათების მაღალი ძაბვის დაფის დაზიანება, შიდა მაღალი სიმძლავრის MOSFET დაზიანების შემოწმების შემდეგ, რადგან არ არის ჩანაცვლების პროტოტიპის ნომერი, ძაბვის, დენის, სიმძლავრის არჩევანი არ არის ნაკლები. MOSFET-ის ორიგინალური ჩანაცვლება, შედეგად, უკანა განათების მილი, როგორც ჩანს, არის უწყვეტი ციმციმი (გაშვების სირთულეები) და საბოლოოდ შეიცვალა იგივე ტიპის ორიგინალით პრობლემის გადასაჭრელად.

მაღალი სიმძლავრის MOSFET-ის გამოვლენილი დაზიანება, პერფუზიის მიკროსქემის მისი პერიფერიული კომპონენტების შეცვლა ასევე უნდა შეიცვალოს, რადგან MOSFET-ის დაზიანება შეიძლება ასევე იყოს MOSFET-ის დაზიანებით გამოწვეული ცუდი პერფუზიის მიკროსქემის კომპონენტები. მაშინაც კი, თუ თავად MOSFET დაზიანებულია, MOSFET-ის გაფუჭების მომენტში, პერფუზიის მიკროსქემის კომპონენტები ასევე დაზიანებულია და უნდა შეიცვალოს.

ისევე, როგორც ჩვენ გვყავს ბევრი ჭკვიანი სარემონტო ოსტატი A3 გადართვის კვების წყაროს შეკეთებაში; სანამ აღმოჩნდება ჩამრთველი მილის გაფუჭება, ის ასევე არის 2SC3807 აგზნების მილის წინა მხარე, იგივე მიზეზის შეცვლასთან ერთად (თუმცა მულტიმეტრით გაზომილი 2SC3807 მილი კარგია).