როგორია MOSFET-ის მუშაობის პრინციპი?

MOSFET (FieldEffect Transistor აბრევიატურა (FET)) სათაურიMOSFET. მცირე რაოდენობის გადამზიდავებით თბოგამტარობაში მონაწილეობის მისაღებად, რომელიც ასევე ცნობილია როგორც მრავალპოლუსიანი შეერთების ტრანზისტორი. იგი კლასიფიცირდება, როგორც ძაბვის კონტროლირებადი ნახევრად ზეგამტარული მოწყობილობა. არსებული გამომავალი წინააღმდეგობა არის მაღალი (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), დაბალი ხმაური, დაბალი ენერგიის მოხმარება, სტატიკური დიაპაზონი, მარტივი ინტეგრირება, მეორე ავარიის ფენომენი, ფართო ზღვის სადაზღვევო ამოცანა და სხვა უპირატესობები, ახლა შეიცვალა ბიპოლარული შეერთების ტრანზისტორი და ძლიერი თანამშრომლების დენის შეერთების ტრანზისტორი.

MOSFET მახასიათებლები

პირველი: MOSFET არის ძაბვის მასტერინგი მოწყობილობა, რომელიც VGS-ის (კარიბჭის წყაროს ძაბვის) მეშვეობით ახორციელებს ID-ს დაუფლებას (გადინების DC);

მეორე:MOSFET-ისგამომავალი DC ძალიან მცირეა, ამიტომ მისი გამომავალი წინააღმდეგობა ძალიან დიდია.

სამი: გამოიყენება რამდენიმე მატარებელი სითბოს გასატარებლად და, შესაბამისად, მას აქვს სტაბილურობის უკეთესი საზომი;

ოთხი: იგი შედგება მცირე კოეფიციენტების ელექტრული შემცირების შემცირებული ბილიკისაგან, რომელიც ტრანზისტორიზე მცირეა, შედგება მცირე კოეფიციენტების ელექტრული შემცირების შემცირებული ბილიკისგან;

მეხუთე: MOSFET-ის დასხივების საწინააღმდეგო სიმძლავრე;

ექვსი: იმის გამო, რომ ხმაურის გაფანტული ნაწილაკებით გამოწვეული უმცირესობის დისპერსიის გაუმართავი აქტივობა არ არის, რადგან ხმაური დაბალია.

MOSFET დავალების პრინციპი

MOSFETამოცანის პრინციპი ერთი წინადადებით, ანუ "გადინების - წყაროს გავლა არხში ID-ს შორის, ელექტროდსა და არხს შორის pn-ს შორის ჩაშენებულია საპირისპირო მიკერძოების ელექტროდის ძაბვაში ID-ის დასაუფლებლად". უფრო ზუსტად, ID-ის ამპლიტუდა წრეზე, ანუ არხის განივი კვეთის ფართობი, ეს არის pn შეერთების საწინააღმდეგო მიკერძოებული ვარიაციით, დაშლის ფენის გაჩენა მიზეზის დაუფლების ვარიაციის გაფართოების მიზნით. VGS=0-ის არაგაჯერებულ ზღვაში მითითებული გარდამავალი ფენის გაფართოება არც თუ ისე დიდია, რადგან დრენაჟის წყაროს შორის დამატებული VDS-ის მაგნიტური ველის მიხედვით, წყაროს ზღვაში ზოგიერთი ელექტრონი დრენას აშორებს. , ანუ, არის DC ID აქტივობა გადინებიდან წყარომდე. ზომიერი ფენა, რომელიც გაფართოვდება კარიბჭიდან დრენაჟამდე, წარმოქმნის არხის მთლიანი სხეულის ბლოკირების ტიპს, ID სავსე. მიმართეთ ამ შაბლონს, როგორც დაჭერა. ეს სიმბოლოა, რომ გარდამავალი ფენა აფერხებს მთელ არხს და ეს არ ნიშნავს იმას, რომ DC არის გათიშული.

გარდამავალ ფენაში, რადგან არ ხდება ელექტრონებისა და ხვრელების თვითმმართველობის მოძრაობა, საიზოლაციო მახასიათებლების რეალურ ფორმაში ზოგადი DC დენის არსებობა რთულია. თუმცა, მაგნიტური ველი დრენას შორის - წყარო, პრაქტიკაში, ორი გარდამავალი ფენის კონტაქტური გადინება და კარიბჭის ბოძზე ქვედა მარცხენა, რადგან დრიფტი მაგნიტური ველი უბიძგებს მაღალსიჩქარიან ელექტრონებს გარდამავალი ფენის მეშვეობით. იმის გამო, რომ დრიფტის მაგნიტური ველის სიძლიერე უბრალოდ არ ცვლის ID სცენის სისრულეს. მეორეც, VGS უარყოფით პოზიციაზე იცვლება, ისე, რომ VGS = VGS (გამორთულია), შემდეგ გარდამავალი ფენა დიდწილად ცვლის მთელი ზღვის დაფარვის ფორმას. და VDS-ის მაგნიტური ველი დიდწილად ემატება გარდამავალ ფენას, მაგნიტურ ველს, რომელიც უბიძგებს ელექტრონს დრიფტის პოზიციამდე, სანამ ახლოს არის ძალიან მოკლე ყველა წყაროს პოლუსთან, რაც უფრო მეტია, რომ DC სიმძლავრე არ არის შეუძლია სტაგნაცია.