როგორც გადართვის ელემენტები, MOSFET და IGBT ხშირად ჩნდებიან ელექტრონულ სქემებში. ისინი ასევე მსგავსია გარეგნულად და დამახასიათებელი პარამეტრებით. მე მჯერა, რომ ბევრს გაუკვირდება, რატომ სჭირდება ზოგიერთ წრეს MOSFET-ის გამოყენება, ზოგი კი ამას აკეთებს. IGBT?
რა განსხვავებაა მათ შორის? შემდეგი,ოლუკიუპასუხებს თქვენს შეკითხვებს!
რა არის აMOSFET?
MOSFET, სრული ჩინური სახელია ლითონის ოქსიდის ნახევარგამტარული ველი ეფექტის ტრანზისტორი. იმის გამო, რომ ამ ველის ეფექტის ტრანზისტორის კარი იზოლირებულია საიზოლაციო ფენით, მას ასევე უწოდებენ იზოლირებული კარიბჭის ველის ეფექტის ტრანზისტორი. MOSFET შეიძლება დაიყოს ორ ტიპად: "N-ტიპი" და "P-ტიპი" მისი "არხის" (მუშა გადამზიდავი) პოლარობის მიხედვით, ჩვეულებრივ ასევე უწოდებენ N MOSFET და P MOSFET.
MOSFET-ს აქვს საკუთარი პარაზიტული დიოდი, რომელიც გამოიყენება MOSFET-ის დამწვრობის თავიდან ასაცილებლად, როდესაც VDD ჭარბი ძაბვაა. იმის გამო, რომ სანამ ზედმეტი ძაბვა აზიანებს MOSFET-ს, დიოდი უპირისპიროდ იშლება პირველი და მიმართავს დიდ დენს მიწაზე, რითაც ხელს უშლის MOSFET-ის დაწვას.
რა არის IGBT?
IGBT (იზოლირებული კარიბჭის ბიპოლარული ტრანზისტორი) არის რთული ნახევარგამტარული მოწყობილობა, რომელიც შედგება ტრანზისტორისა და MOSFET-ისგან.
IGBT-ის მიკროსქემის სიმბოლოები ჯერ არ არის ერთიანი. სქემატური სქემის შედგენისას ზოგადად ნასესხებია ტრიოდისა და MOSFET-ის სიმბოლოები. ამ დროს სქემატურ დიაგრამაზე მონიშნული მოდელიდან შეგიძლიათ განსაჯოთ ეს არის IGBT თუ MOSFET.
ამასთან, ყურადღება უნდა მიაქციოთ თუ არა IGBT-ს სხეულის დიოდი. თუ სურათზე არ არის მონიშნული, ეს არ ნიშნავს რომ არ არსებობს. თუ ოფიციალურ მონაცემებში სხვაგვარად არ არის ნათქვამი, ეს დიოდი არსებობს. სხეულის დიოდი IGBT-ის შიგნით არ არის პარაზიტული, მაგრამ სპეციალურად არის დაყენებული IGBT-ის მყიფე უკანა ძაბვის დასაცავად. მას ასევე უწოდებენ FWD (freewheeling diode).
ამ ორის შიდა სტრუქტურა განსხვავებულია
MOSFET-ის სამი პოლუსი არის წყარო (S), გადინება (D) და კარიბჭე (G).
IGBT-ის სამი პოლუსი არის კოლექტორი (C), ემიტერი (E) და კარიბჭე (G).
IGBT აგებულია MOSFET-ის დრენაზე დამატებითი ფენის დამატებით. მათი შიდა სტრუქტურა შემდეგია:
ამ ორის განაცხადის ველები განსხვავებულია
MOSFET-ისა და IGBT-ის შიდა სტრუქტურები განსხვავებულია, რაც განსაზღვრავს მათ აპლიკაციის ველებს.
MOSFET-ის სტრუქტურიდან გამომდინარე, მას ჩვეულებრივ შეუძლია მიაღწიოს დიდ დენს, რომელსაც შეუძლია მიაღწიოს KA-ს, მაგრამ წინაპირობა ძაბვის გამძლეობის უნარი არ არის ისეთი ძლიერი, როგორც IGBT. მისი ძირითადი გამოყენების სფეროებია გადართვის წყაროები, ბალასტები, მაღალი სიხშირის ინდუქციური გათბობა, მაღალი სიხშირის ინვერტორული შედუღების აპარატები, საკომუნიკაციო დენის წყაროები და სხვა მაღალი სიხშირის ელექტრომომარაგების ველები.
IGBT-ს შეუძლია გამოიმუშაოს დიდი სიმძლავრე, დენი და ძაბვა, მაგრამ სიხშირე არც თუ ისე მაღალია. ამჟამად, IGBT-ის მყარი გადართვის სიჩქარე შეიძლება მიაღწიოს 100KHZ-ს. IGBT ფართოდ გამოიყენება შედუღების აპარატებში, ინვერტორებში, სიხშირის გადამყვანებში, ელექტროლიტური ელექტრომომარაგების ელექტრომომარაგებაში, ულტრაბგერითი ინდუქციის გათბობაში და სხვა სფეროებში.
MOSFET-ისა და IGBT-ის ძირითადი მახასიათებლები
MOSFET-ს აქვს მაღალი შეყვანის წინაღობის, სწრაფი გადართვის სიჩქარის, კარგი თერმული მდგრადობის, ძაბვის კონტროლის დენის მახასიათებლები და ა.შ. წრეში მისი გამოყენება შესაძლებელია როგორც გამაძლიერებელი, ელექტრონული გადამრთველი და სხვა მიზნებისათვის.
როგორც ახალი ტიპის ელექტრონული ნახევარგამტარული მოწყობილობა, IGBT-ს აქვს მაღალი შეყვანის წინაღობის მახასიათებლები, დაბალი ძაბვის კონტროლის ენერგიის მოხმარება, მარტივი კონტროლის წრე, მაღალი ძაბვის წინააღმდეგობა და დიდი დენის ტოლერანტობა და ფართოდ გამოიყენება სხვადასხვა ელექტრონულ სქემებში.
IGBT-ის იდეალური ეკვივალენტური წრე ნაჩვენებია ქვემოთ მოცემულ ფიგურაში. IGBT რეალურად არის MOSFET-ისა და ტრანზისტორის კომბინაცია. MOSFET-ს აქვს მაღალი წინააღმდეგობის მინუსი, მაგრამ IGBT დაძლევს ამ ხარვეზს. IGBT-ს ჯერ კიდევ აქვს დაბალი წინააღმდეგობა მაღალი ძაბვის დროს. .
ზოგადად, MOSFET-ის უპირატესობა ის არის, რომ მას აქვს კარგი მაღალი სიხშირის მახასიათებლები და შეუძლია იმუშაოს ასობით kHz სიხშირეზე და MHz-მდე. მინუსი არის ის, რომ ჩართვის წინააღმდეგობა დიდია და ენერგიის მოხმარება დიდია მაღალი ძაბვის და მაღალი დენის სიტუაციებში. IGBT კარგად მუშაობს დაბალი სიხშირის და მაღალი სიმძლავრის სიტუაციებში, მცირე წინააღმდეგობის და მაღალი გამძლეობის ძაბვის პირობებში.
აირჩიეთ MOSFET ან IGBT
წრეში, ავირჩიოთ MOSFET, როგორც დენის გადამრთველი მილი, თუ IGBT, არის კითხვა, რომელსაც ინჟინრები ხშირად აწყდებიან. თუ მხედველობაში მიიღება ფაქტორები, როგორიცაა სისტემის ძაბვა, დენი და გადართვის სიმძლავრე, შეიძლება შეჯამდეს შემდეგი პუნქტები:
ადამიანები ხშირად კითხულობენ: "MOSFET უკეთესია თუ IGBT?" სინამდვილეში, ამ ორს შორის კარგი ან ცუდი განსხვავება არ არის. ყველაზე მნიშვნელოვანი ის არის, რომ ნახოთ მისი რეალური გამოყენება.
თუ ჯერ კიდევ გაქვთ შეკითხვები MOSFET-სა და IGBT-ს შორის განსხვავებასთან დაკავშირებით, შეგიძლიათ დაუკავშირდეთ Olukey-ს დეტალებისთვის.
Olukey ძირითადად ავრცელებს WINSOK-ის საშუალო და დაბალი ძაბვის MOSFET პროდუქტებს. პროდუქტები ფართოდ გამოიყენება სამხედრო ინდუსტრიაში, LED/LCD დრაივერის დაფები, ძრავის დრაივერის დაფები, სწრაფი დამუხტვა, ელექტრონული სიგარეტი, LCD მონიტორები, კვების წყაროები, მცირე საყოფაცხოვრებო ტექნიკა, სამედიცინო პროდუქტები და Bluetooth პროდუქტები. ელექტრონული სასწორები, ავტომობილების ელექტრონიკა, ქსელური პროდუქტები, საყოფაცხოვრებო ტექნიკა, კომპიუტერული პერიფერიული მოწყობილობები და სხვადასხვა ციფრული პროდუქტები.
გამოქვეყნების დრო: დეკ-18-2023
