გადართვის კვების წყაროს ან ძრავის ამძრავი მიკროსქემის დიზაინის შექმნისას MOSFET-ების გამოყენებით, ადამიანების უმეტესობა ითვალისწინებს MOSFET-ების ჩართულ წინააღმდეგობას, მაქსიმალურ ძაბვას, მაქსიმალურ დენს და ა.შ. და ბევრი ადამიანი ითვალისწინებს მხოლოდ ამ ფაქტორებს. ასეთი წრე შეიძლება იმუშაოს, მაგრამ ეს არ არის ოპტიმალური გადაწყვეტა და ეს დაუშვებელია, როგორც პროდუქტის ოფიციალური დიზაინი. ასე რომ, რა მოთხოვნები იქნება კარგიMOSFET მძღოლის წრე? მოდით გავარკვიოთ!
(1) როდესაც გადამრთველი მყისიერად ჩაირთვება, მძღოლის წრეს უნდა შეეძლოს უზრუნველყოს საკმარისად დიდი დატენვის დენი, ისე რომMOSFET კარიბჭის წყაროს ძაბვა სწრაფად იზრდება სასურველ მნიშვნელობამდე და იმის უზრუნველსაყოფად, რომ გადამრთველი შეიძლება სწრაფად იყოს ჩართული და არ იყოს მაღალი სიხშირის რხევები აღმავალ კიდეზე.
(2) ჩართვის პერიოდში, წამყვანი წრე უნდა უზრუნველყოს, რომMOSFET კარიბჭის წყაროს ძაბვა რჩება სტაბილური და საიმედო გამტარობა.
(3) მყისიერი წამყვანი წრედის გამორთვა, უნდა შეეძლოს უზრუნველყოს რაც შეიძლება დაბალი წინაღობის გზა, MOSFET კარიბჭის წყაროს ტევადობის ძაბვაზე სწრაფი გამონადენის ელექტროდებს შორის, რათა უზრუნველყოს გადამრთველის სწრაფად გამორთვა.
(4) წამყვანი მიკროსქემის სტრუქტურა მარტივი და საიმედოა, დაბალი დანაკარგი.
გამოქვეყნების დრო: მაისი-22-2024
