MOSFET-ებიითამაშე როლიგადართვის სქემებშიარის მიკროსქემის ჩართვა-გამორთვა და სიგნალის კონვერტაციის კონტროლი.MOSFET-ები შეიძლება ფართოდ დაიყოს ორ კატეგორიად: N-არხი და P-არხი.
N-არხშიMOSFETწრე, BEEP პინი მაღალია ზუმერის პასუხის გასააქტიურებლად და დაბალია ზუმერის გამორთვისთვის. P-არხიMOSFETGPS მოდულის კვების წყაროს ჩართვისა და გამორთვის გასაკონტროლებლად, GPS_PWR პინი დაბალია, როდესაც ჩართულია, GPS მოდული არის ნორმალური კვების წყარო, და მაღალი, რათა GPS მოდულის გამორთვა მოხდეს.
P-არხიMOSFETN ტიპის სილიკონის სუბსტრატს P + რეგიონში აქვს ორი: დრენაჟი და წყარო. ეს ორი პოლუსი ერთმანეთთან არ არის გამტარი, როდესაც დამიწებისას წყაროს ემატება საკმარისი დადებითი ძაბვა, კარიბჭის ქვემოთ N-ტიპის სილიკონის ზედაპირი გამოჩნდება P- ტიპის შებრუნებული ფენის სახით, არხში, რომელიც აკავშირებს დრენაჟს და წყაროს. . კარიბჭეზე ძაბვის შეცვლა ცვლის არხში ხვრელების სიმკვრივეს, რითაც იცვლება არხის წინააღმდეგობა. ამას ეწოდება P-არხის გამაძლიერებელი ველის ეფექტის ტრანზისტორი.
NMOS მახასიათებლები, Vgs, სანამ გარკვეულ მნიშვნელობაზე მეტი იქნება ჩართული, გამოიყენება წყაროზე დასაბუთებული დაბალი დონის დისკის შემთხვევაში, იმ პირობით, რომ კარიბჭის ძაბვა იქნება 4V ან 10V ხაზზე.
PMOS-ის მახასიათებლები, NMOS-ის საპირისპიროდ, ჩაირთვება მანამ, სანამ Vgs გარკვეულ მნიშვნელობაზე ნაკლებია და ის გამოდგება მაღალი დონის დისკის შემთხვევაში, როდესაც წყარო დაკავშირებულია VCC-თან. თუმცა, მცირე რაოდენობის შემცვლელი ტიპების, მაღალი გამძლეობისა და მაღალი ფასის გამო, თუმცა PMOS შეიძლება ძალიან მოხერხებულად იქნას გამოყენებული მაღალი დონის დისკების შემთხვევაში, ამიტომ მაღალი კლასის დისკებში, ზოგადად, მაინც გამოიყენეთ NMOS.
საერთო ჯამში,MOSFET-ებიაქვს მაღალი შეყვანის წინაღობა, ხელს უწყობს სქემებში პირდაპირ შეერთებას და შედარებით ადვილად კეთდება ფართომასშტაბიან ინტეგრირებულ სქემებში.
გამოქვეყნების დრო: ივლის-20-2024
