აირჩიეთ სწორი MOSFET მიკროსქემის დრაივერი არის ძალიან მნიშვნელოვანი ნაწილიMOSFET შერჩევა არ არის კარგი პირდაპირ გავლენას მოახდენს მთელი მიკროსქემის ეფექტურობაზე და პრობლემის ფასზე, შემდეგ ჩვენ ვამბობთ MOSFET-ის შერჩევის გონივრულ კუთხეს.
1, N-არხის და P-არხის შერჩევა
(1), ჩვეულებრივ სქემებში, როდესაც MOSFET არის დამიწებული და დატვირთვა დაკავშირებულია მაგისტრალის ძაბვასთან, MOSFET წარმოადგენს დაბალი ძაბვის გვერდით გადამრთველს. დაბალი ძაბვის გვერდით გადამრთველში უნდა იქნას გამოყენებული N-არხის MOSFET, მოწყობილობის გამორთვის ან ჩართვისთვის საჭირო ძაბვის გათვალისწინებით.
(2), როდესაც MOSFET უკავშირდება ავტობუსს და დატვირთვა დამიწებულია, გამოყენებული უნდა იყოს მაღალი ძაბვის გვერდითი გადამრთველი. P-არხიMOSFET-ები ჩვეულებრივ გამოიყენება ამ ტოპოლოგიაში, ისევ ძაბვის დრაივის გათვალისწინებით.
2, მინდა აირჩიოს უფლებაMOSFET, აუცილებელია განისაზღვროს ძაბვის ძაბვა, რომელიც საჭიროა ძაბვის რეიტინგის გასატარებლად, ასევე განხორციელების უმარტივესი ხერხის დიზაინში. როდესაც ნომინალური ძაბვა მეტია, მოწყობილობას ბუნებრივია უფრო მაღალი ღირებულება დასჭირდება. პორტატული დიზაინისთვის უფრო ხშირია დაბალი ძაბვა, ხოლო სამრეწველო დიზაინისთვის საჭიროა უფრო მაღალი ძაბვა. პრაქტიკული გამოცდილებიდან გამომდინარე, ნომინალური ძაბვა უნდა იყოს უფრო დიდი ვიდრე მაგისტრალური ან ავტობუსის ძაბვა. ეს უზრუნველყოფს უსაფრთხოების საკმარის დაცვას ისე, რომ MOSFET არ ჩავარდეს.
3, რასაც მოჰყვება მიკროსქემის სტრუქტურა, დენის რეიტინგი უნდა იყოს მაქსიმალური დენი, რომელსაც შეუძლია გაუძლოს დატვირთვას ნებისმიერ გარემოებებში, რაც ასევე დაფუძნებულია გასათვალისწინებელი აუცილებელი ასპექტების უსაფრთხოებაზე.
4. საბოლოოდ განისაზღვრება MOSFET-ის გადართვის შესრულება. არსებობს მრავალი პარამეტრი, რომელიც გავლენას ახდენს გადართვის შესრულებაზე, მაგრამ ყველაზე მნიშვნელოვანი არის კარიბჭე/დრენაჟი, კარიბჭე/წყარო და გადინების/წყაროს ტევადობა. ეს სიმძლავრეები ქმნიან მოწყობილობაში გადართვის დანაკარგებს, რადგან ისინი უნდა დაიტენოს ყოველი გადართვის დროს.
გამოქვეყნების დრო: მაისი-20-2024
