იზოლირებული ფენის კარიბჭის MOSFET-ების ამოცნობა

საიზოლაციო ფენის კარიბჭის ტიპი MOSFET მეტსახელიMOSFET (შემდგომში MOSFET), რომელსაც აქვს სილიციუმის დიოქსიდის საკაბელო გარსი კარიბჭის ძაბვისა და წყაროს გადინების შუაში.

MOSFET ასევეN-არხი და P-არხი ორი კატეგორიის, მაგრამ თითოეული კატეგორია დაყოფილია გაუმჯობესებისა და სინათლის გამოფიტვის ტიპის მეორედ, შესაბამისად, სულ ოთხი ტიპია:N-არხის გაძლიერება, P-არხის გაძლიერება, N-არხის შუქის დაქვეითება, P-არხის სინათლის დაქვეითების ტიპი. მაგრამ იქ, სადაც კარიბჭის წყაროს ძაბვა არის ნულოვანი, გადინების დენი ასევე არის ნულოვანი მილის გაძლიერებული მილის. თუმცა, სადაც კარიბჭის წყაროს ძაბვა არის ნულოვანი, გადინების დენი არ არის ნულოვანი, კლასიფიცირდება როგორც სინათლის მომხმარებელი ტიპის მილები.
გაძლიერებული MOSFET პრინციპი:

კარიბჭის შუაში მუშაობისას არ გამოიყენება ძაბვა, სადრენაჟო წყაროს PN შეერთების შუა ნაწილი საპირისპირო მიმართულებით არის, ამიტომ არ იქნება გამტარი არხი, მაშინაც კი, თუ გადინების წყაროს შუა ძაბვაა, გამტარი თხრილის ელექტროენერგია დაკეტილია, არ არის გამორიცხული სამუშაო დენის მიხედვით. როდესაც კარიბჭის წყაროს შუაში პლუს დადებითი მიმართულების ძაბვა გარკვეულ მნიშვნელობამდე, სადრენაჟო წყაროს შუაში წარმოიქმნება გამტარ უსაფრთხოების არხი, ასე რომ, ამ კარიბჭის წყაროს ძაბვის მიერ წარმოქმნილ გამტარ თხრილს ეწოდება ღია ძაბვა VGS. რაც უფრო დიდია კარიბჭის წყაროს ძაბვის შუაში, გამტარი თხრილი უფრო ფართოა, რაც თავის მხრივ აძლიერებს ელექტროენერგიის ნაკადს.

სინათლის დაშლის MOSFET-ის პრინციპი:

ექსპლუატაციის დროს არ გამოიყენება ძაბვა კარიბჭის წყაროს შუაში, გამაძლიერებელი ტიპის MOSFET-ისგან განსხვავებით, და გადინების წყაროს შუაში არსებობს გამტარი არხი, ამიტომ გადინების წყაროს შუაში მხოლოდ დადებითი ძაბვა ემატება. იწვევს სანიაღვრე დენის ნაკადს. უფრო მეტიც, კარიბჭის წყარო ძაბვის დადებითი მიმართულებით შუაში, გამტარი არხის გაფართოება, დაამატეთ ძაბვის საპირისპირო მიმართულება, გამტარი არხი იკუმშება, ელექტროენერგიის ნაკადის მეშვეობით უფრო მცირე იქნება, MOSFET-ის შედარების გაძლიერებით, ის ასევე შეიძლება იყოს გარკვეული რაოდენობის რეგიონების დადებით და უარყოფით რიცხვში გამტარ არხში.

MOSFET-ის ეფექტურობა:

პირველი, MOSFET გამოიყენება გასადიდებლად. იმის გამო, რომ MOSFET გამაძლიერებლის შეყვანის წინააღმდეგობა ძალიან მაღალია, ამიტომ ფილტრის კონდენსატორი შეიძლება იყოს პატარა, ელექტროლიტური კონდენსატორების გამოყენების გარეშე.

მეორე, MOSFET ძალიან მაღალი შეყვანის წინააღმდეგობა განსაკუთრებით შესაფერისია დამახასიათებელი წინაღობის კონვერტაციისთვის. ჩვეულებრივ გამოიყენება მრავალ დონის გამაძლიერებლის შეყვანის ეტაპზე დამახასიათებელი წინაღობის კონვერტაციისთვის.

MOSFET შეიძლება გამოყენებულ იქნას როგორც რეგულირებადი რეზისტორი.

მეოთხე, MOSFET შეიძლება იყოს მოსახერხებელი, როგორც DC კვების წყარო.

V. MOSFET შეიძლება გამოყენებულ იქნას გადართვის ელემენტად.