MOSFET-ის ჩანაცვლების პრინციპი და კარგი და ცუდი განსჯა

1, თვისებრივი განსჯაMOSFETკარგი თუ ცუდი

MOSFET-ის ჩანაცვლების პრინციპი და კარგი ან ცუდი შეფასება, ჯერ გამოიყენეთ მულტიმეტრი R × 10kΩ ბლოკი (ჩაშენებული 9V ან 15V ბატარეა), უარყოფითი კალამი (შავი) მიერთებული კარიბჭესთან (G), დადებითი კალამი (წითელი) მიერთებული. წყარო (S). კარიბჭესა და წყაროს შორის დატენვისას მულტიმეტრის მაჩვენებელი ოდნავ გადახრილი იქნება. ისევ გამოყენებით მულტიმეტრი R × 1Ω ბლოკი, უარყოფითი კალამი გადინების (D), დადებითი კალამი წყარო (S), მულტიმეტრი მიუთითებს მნიშვნელობა რამდენიმე ohms, რაც მიუთითებს, რომ MOSFET კარგი.

 

2, შეერთების MOSFET ელექტროდის თვისებრივი ანალიზი

მულტიმეტრი აკრიფეს R × 100 ფაილზე, წითელი კალამი რომელიმე ფეხის მილზე, შავი კალამი მეორეზე, ისე რომ მესამე ფეხი შეჩერდეს. თუ აღმოაჩენთ მრიცხველის ნემსის ოდნავ რხევას, დაამტკიცეთ, რომ მესამე ფეხი არის კარიბჭე. თუ გსურთ მიიღოთ უფრო მკაფიო შედეგები, შეგიძლიათ ასევე გამოიყენოთ სხეული ახლოს ან თითით შეხებაზე დაკიდებულ ფეხზე, სანამ ნემსი მნიშვნელოვნად გადახრილია, ანუ მიუთითებს, რომ კარიბჭისთვის შეკიდული ფეხი, დარჩენილი ორი ფუტი წყაროსა და გადინებისთვის, შესაბამისად.

დისკრიმინაციული მიზეზები:JFETშეყვანის წინააღმდეგობა 100 MΩ-ზე მეტია, ხოლო ტრანსგამტარობა ძალიან მაღალია, როდესაც კარიბჭე ღია წრეშია, კოსმოსური ელექტრომაგნიტური ველი შეიძლება ადვილად გამოიწვევდეს კარიბჭის ძაბვის სიგნალით, ისე, რომ მილი მიდრეკილია გათიშვისკენ, ან მიდრეკილია გამტარობისკენ. თუ ადამიანის სხეული პირდაპირ კარიბჭესთან ინდუქციური ძაბვაა, შეყვანის ჩარევის გამო სიგნალი უფრო ძლიერია, ზემოაღნიშნული ფენომენი უფრო აშკარა იქნება. მაგალითად, ნემსი მარცხნივ მიკერძოებულზე ძალიან დიდია, ეს ნიშნავს, რომ მილი მიდრეკილია გათიშვისკენ, დრენაჟის წყაროს წინააღმდეგობა იზრდება RDS, გადინების წყაროს დენი ამცირებს IDS-ს. პირიქით, ნემსი მარჯვენა მხარეს დიდი გადახრისკენ, რომელსაც მილი მიდრეკილია გამტარობისკენ, RDS ↓, IDS ↑. თუმცა, რომელ მიმართულებას უხვევს მრიცხველის ნემსი რეალურად უნდა განისაზღვროს ინდუცირებული ძაბვის პოლარობით (წინ ან უკუ ძაბვა) და მილის მუშაობის წერტილით.
Სიფრთხილის ზომები:

ტესტის შედეგებმა აჩვენა, რომ როდესაც ორივე ხელი იზოლირებულია D და S პოლუსებიდან და მხოლოდ კარიბჭეს ეხება, მრიცხველის ნემსი ზოგადად იხრება მარცხნივ. თუმცა, როდესაც ორივე ხელი ეხება D და S ბოძებს შესაბამისად და თითები ჭიშკარს ეხება, მრიცხველის ნემსი მარჯვნივ გადაიხრება. ამის მიზეზი ის არის, რომ ადამიანის სხეულის რამდენიმე ნაწილი და წინააღმდეგობა მიკერძოებულიაMOSFETგაჯერების რეგიონში.

 

 

 

კრისტალური ტრიოდის ქინძის განსაზღვრა

ტრიოდი შედგება ბირთვისგან (ორი PN შეერთება), სამი ელექტროდი და მილის გარსი, სამ ელექტროდს ეწოდება კოლექტორი c, ემიტერი e, ბაზა b. ამჟამად, საერთო ტრიოდი არის სილიკონის პლანშეტური მილი, რომელიც შემდგომში იყოფა ორ კატეგორიად: PNP-ტიპი და NPN-ტიპი. გერმანიუმის შენადნობის მილები ახლა იშვიათია.

აქ შემოგთავაზებთ მულტიმეტრის გამოყენების მარტივ მეთოდს ტრიოდის ტრიოდის ფეხების გასაზომად.

 

1, იპოვნეთ ბაზის ბოძი, განსაზღვრეთ მილის ტიპი (NPN ან PNP)

PNP ტიპის ტრიოდისთვის C და E პოლუსები არის მის შიგნით არსებული ორი PN შეერთების დადებითი პოლუსი, ხოლო B პოლუსი არის მისი საერთო უარყოფითი პოლუსი, ხოლო NPN ტიპის ტრიოდი საპირისპიროა, C და E პოლუსები უარყოფითი პოლუსებია. ორი PN შეერთებიდან და B პოლუსი არის მისი საერთო დადებითი პოლუსი, და მარტივია საბაზისო პოლუსისა და მილის ტიპის დადგენა PN შეერთების დადებითი წინააღმდეგობის მახასიათებლების მიხედვით მცირეა, ხოლო საპირისპირო წინააღმდეგობა დიდია. . კონკრეტული მეთოდია:

გამოიყენეთ მულტიმეტრი აკრიფეთ R × 100 ან R × 1K სიჩქარით. წითელი კალამი შეეხეთ ქინძისთავს და შემდეგ გამოიყენეთ შავი კალამი, რომელიც დაკავშირებულია დანარჩენ ორ ქინძისთავთან, ასე რომ თქვენ შეგიძლიათ მიიღოთ სამი ჯგუფი (თითოეული ორი ჯგუფი), როდესაც წაკითხვის ორი კომპლექტიდან ერთი არის დაბალი წინააღმდეგობის მნიშვნელობაში. რამდენიმე ასეული ohms, თუ საჯარო ქინძისთავები არის წითელი კალამი, კონტაქტი არის ბაზა, ტრანზისტორი PNP ტიპის; თუ საჯარო ქინძისთავები შავი კალამია, კონტაქტი არის ბაზა, ტრანზისტორი NPN ტიპის.

 

2, ამომწურავი და კოლექტორის იდენტიფიცირება

როგორც ტრიოდის წარმოება, ორი P არე ან ორი N ფართობი დოპინგის კონცენტრაციაში განსხვავებულია, თუ სწორი გამაძლიერებელია, ტრიოდს აქვს ძლიერი გაძლიერება და პირიქით, არასწორი გამაძლიერებლის შემთხვევაში, გამაძლიერებელი დიდი რაოდენობით ძალიან სუსტია. ასე რომ, ტრიოდი სწორი გამაძლიერებლით, ტრიოდი არასწორი გამაძლიერებლით, დიდი განსხვავება იქნება.

 

მილის ტიპისა და ბაზის იდენტიფიკაციის შემდეგ, კოლექტორი და ემიტერი შეიძლება განისაზღვროს შემდეგი გზით. აკრიფეთ მულტიმეტრი R x 1K დაჭერით. ორივე ხელით მიამაგრეთ ძირი და მეორე ქინძისთავები (ფრთხილად, ელექტროდები პირდაპირ კონტაქტში არ შევიდეს). იმისათვის, რომ გაზომვის ფენომენი აშკარა იყოს, დაასველეთ თითები, დააწექით წითელი კალამი ძირით, დააჭირეთ შავი კალამი მეორე ქინძისთავთან და ყურადღება მიაქციეთ მულტიმეტრის მაჩვენებლის მარჯვენა რხევის სიდიდეს. შემდეგი, შეცვალეთ ორი ქინძისთავები, გაიმეორეთ ზემოთ გაზომვის ნაბიჯები. შეადარეთ ნემსის რხევის ამპლიტუდა ორ გაზომვაში და გაარკვიეთ ნაწილი უფრო დიდი რხევით. PNP ტიპის ტრანზისტორებისთვის შავი კალამი შეაერთეთ ქინძისთავთან და ძირის დაჭერით, გაიმეორეთ ზემოაღნიშნული ექსპერიმენტები იმის გასარკვევად, თუ სად არის ნემსის რხევის ამპლიტუდა უფრო დიდი, NPN ტიპისთვის შავი კალამი უკავშირდება ფუძეს, წითელი კალამი დაკავშირებულია ემიტერთან. PNP ტიპში წითელი კალამი უკავშირდება კოლექტორს, შავი კალამი უკავშირდება ემიტერს.

 

ამ იდენტიფიკაციის მეთოდის პრინციპია ბატარეის გამოყენება მულტიმეტრში, ძაბვა ემატება ტრანზისტორის კოლექტორსა და ემიტერს, რათა მას ჰქონდეს გაძლიერების უნარი. ხელით მიამაგრეთ მისი ფუძე, კოლექტორი, ტოლი წინააღმდეგობის ხელის მეშვეობით ტრიოდის მიმართ, პლუს დადებითი მიკერძოების დენი, ისე რომ ის ატარებს, ამ დროს მრიცხველის ნემსის სიდიდე, რომელიც მარჯვნივ მოძრაობს, ასახავს მის გამაძლიერებელ უნარს, ასე რომ თქვენ შეგიძლიათ სწორად განსაზღვრავს ემიტერის, კოლექტორის ადგილმდებარეობას.