როგორც ნახევარგამტარების სფეროში ერთ-ერთი ყველაზე ძირითადი მოწყობილობა, MOSFET ფართოდ გამოიყენება როგორც IC დიზაინში, ასევე დაფის დონის სქემებში. ამჟამად, განსაკუთრებით მაღალი სიმძლავრის ნახევარგამტარების სფეროში, MOSFET-ების სხვადასხვა სტრუქტურები ასევე შეუცვლელ როლს თამაშობს. ამისთვისMOSFET-ები, რომლის სტრუქტურა შეიძლება ითქვას მარტივისა და რთულის ერთობლიობაა, მარტივია მისი სტრუქტურა, კომპლექსი ეფუძნება მისი სიღრმისეული განხილვის გამოყენებას. ყოველდღიურად,MOSFET სიცხე ასევე ითვლება ძალიან გავრცელებულ სიტუაციად, გასაღები უნდა ვიცოდეთ მიზეზები, საიდან და რა მეთოდებით შეიძლება გადაჭრა? შემდეგი, მოდით ერთად გავიგოთ.
I. მიზეზებიMOSFET გათბობა
1, მიკროსქემის დიზაინის პრობლემა. ეს არის ის, რომ MOSFET-მა იმუშაოს ონლაინ რეჟიმში და არა გადართვის მდგომარეობაში. ეს არის ერთ-ერთი მიზეზი, რის გამოც MOSFET ცხელდება. თუ N-MOS ჩართვას აკეთებს, G დონის ძაბვა უნდა იყოს რამდენიმე V-ით მეტი ელექტრომომარაგებაზე, რათა სრულად იყოს ჩართული, ხოლო P-MOS-ისთვის პირიქით. სრულად არ არის გახსნილი და ძაბვის ვარდნა ძალიან დიდია, რაც იწვევს ენერგიის მოხმარებას, ექვივალენტური DC წინაღობა შედარებით დიდია, ძაბვის ვარდნა იზრდება, ამიტომ U * I ასევე იზრდება, დანაკარგი ნიშნავს სითბოს.
2, სიხშირე ძალიან მაღალია. ძირითადად ხანდახან ზედმეტია მოცულობისთვის, რის შედეგადაც იზრდება სიხშირე, იზრდება MOSFET დანაკარგები, რაც ასევე იწვევს MOSFET-ის გათბობას.
3, დენი ძალიან მაღალია. როდესაც ID ნაკლებია მაქსიმალურ დენზე, ის ასევე გამოიწვევს MOSFET-ის გაცხელებას.
4, MOSFET მოდელის არჩევანი არასწორია. MOSFET-ის შიდა წინააღმდეგობა ბოლომდე არ არის გათვალისწინებული, რაც იწვევს გადართვის წინაღობის გაზრდას.შენ,
გამოსავალი MOSFET-ის მწვავე სითბოს გამომუშავებისთვის
1, გააკეთე კარგი სამუშაო MOSFET-ის გამათბობელის დიზაინზე.
2, დაამატეთ საკმარისი დამხმარე გამათბობელი.
3, ჩასვით გამათბობელი წებოვანი.
გამოქვეყნების დრო: მაისი-19-2024
