დღევანდელი MOS დრაივერებით, არსებობს რამდენიმე არაჩვეულებრივი მოთხოვნა:
1. დაბალი ძაბვის გამოყენება
5 ვ გადართვის გამოყენებისასელექტრომომარაგება, ამ დროს თუ გამოიყენება ტრადიციული ტოტემური პოლუსის სტრუქტურა, რადგან ტრიოდი იქნება მხოლოდ 0.7V ზევით და ქვემოთ დანაკარგი, რის შედეგადაც კონკრეტული საბოლოო დატვირთვის კარიბჭეზე ძაბვა არის მხოლოდ 4.3V, ამ დროს გამოიყენება დასაშვები ძაბვის კარიბჭე. 4.5 ვ-დანMOSFET-ები არსებობს გარკვეული რისკის ხარისხი.იგივე სიტუაცია ასევე ხდება 3V ან სხვა დაბალი ძაბვის გადართვის ელექტრომომარაგების გამოყენებისას.
2.ფართო ძაბვის გამოყენება
გასაღების ძაბვას არ აქვს რიცხვითი მნიშვნელობა, ის იცვლება დროდადრო ან სხვა ფაქტორების გამო. ეს ცვალებადობა იწვევს PWM წრედის მიერ MOSFET-ს მინიჭებული წამყვანი ძაბვის არასტაბილურობას.
იმისათვის, რომ MOSFET-ი უკეთესად დაიცვან კარიბჭის ძაბვაზე, ბევრ MOSFET-ს აქვს ჩაშენებული ძაბვის რეგულატორები, რათა აიძულონ შეზღუდვა კარიბჭის ძაბვის სიდიდეზე. ამ შემთხვევაში, როდესაც წამყვანი ძაბვა აღემატება რეგულატორის ძაბვას, გამოწვეულია სტატიკური ფუნქციის დიდი დაკარგვა.
ამავდროულად, თუ ჭიშკრის ძაბვის შესამცირებლად გამოყენებული იქნება რეზისტორული ძაბვის გამყოფის ძირითადი პრინციპი, მოხდება ისე, რომ თუ ღილაკით ძაბვა უფრო მაღალია, MOSFET კარგად მუშაობს, ხოლო თუ დაჭერილი ძაბვა შემცირებულია, კარიბჭის ძაბვა არ არის. საკმარისია, რის შედეგადაც ხდება არასაკმარისი ჩართვა და გამორთვა, რაც გაზრდის ფუნქციურ დაკარგვას.
3. ორმაგი ძაბვის აპლიკაციები
ზოგიერთ საკონტროლო წრეში, მიკროსქემის ლოგიკური ნაწილი იყენებს ტიპიურ 5V ან 3.3V მონაცემთა ძაბვას, ხოლო გამომავალი დენის ნაწილი ვრცელდება 12V ან მეტზე, და ორი ძაბვა დაკავშირებულია საერთო ადგილზე.
ეს ცხადყოფს, რომ ელექტრომომარაგების წრე უნდა იყოს გამოყენებული ისე, რომ დაბალი ძაბვის მხარემ შეძლოს გონივრული მანიპულირება მაღალი ძაბვის MOSFET-ით, ხოლო მაღალი ძაბვის MOSFET შეძლებს გაუმკლავდეს იმავე სირთულეებს, რომლებიც აღნიშნულ 1 და 2-შია.
ამ სამ შემთხვევაში, ტოტემური ბოძის კონსტრუქცია ვერ აკმაყოფილებს გამომავალი მოთხოვნებს და ბევრი არსებული MOS დრაივერის IC არ შეიცავს კარიბჭის ძაბვის შეზღუდვის კონსტრუქციას.
გამოქვეყნების დრო: ივლის-24-2024
