კარგ და ცუდ MOSFET-ს შორის განსხვავება ორი გზა არსებობს:
პირველი: ხარისხობრივად განასხვავებენ უპირატესობებსა და ნაკლოვანებებსMOSFET-ები
პირველ რიგში გამოიყენეთ მულტიმეტრი R × 10kΩ ბლოკი (ჩაშენებული 9V ან 15V მრავალჯერადი დატენვის ბატარეა), უარყოფითი კალამი (შავი) დაკავშირებული კარიბჭესთან (G), დადებითი კალამი (წითელი) დაკავშირებული წყაროსთან (S). კარიბჭემდე, შუა ბატარეის დამუხტვის წყარო, შემდეგმულტიმეტრი ნემსს აქვს მსუბუქი გადახრა. შემდეგ გადადით მულტიმეტრის R × 1Ω ბლოკზე,უარყოფითი კალამი გადინებისკენ (D), პოზიტიური კალამი წყაროსკენ (S), მულტიმეტრი ეტიკეტირებული მნიშვნელობა თუ რამდენიმე Ohm დედა, ეს აჩვენებს, რომ MOSFET კარგია.
მეორე: შეერთების MOSFET-ების ელექტრული დონის ხარისხობრივად გადაჭრამულტიმეტრი აკრიფეს R × 100 ფაილზე, წითელი კალამი შემთხვევით უკავშირდება ფეხის მილს, შავი კალამი უკავშირდება სხვა ფეხის მილს ისე, რომ მესამე ფეხი ჰაერში ჩამოკიდებული. თუ აღმოაჩენთ, რომ ნემსს აქვს მცირე რხევა, დასტურდება, რომ მესამე ფეხი კარიბჭისთვის. რეალურ ეფექტზე უფრო მნიშვნელოვანი დაკვირვებისთვის, მაგრამ ასევე ელექტრონული ვიბრაციის მახლობლად ან ჰაერის ფეხებში ჩამოკიდებული თითის შეხებით, მხოლოდ ნემსის დიდი გადახრის დასანახად, ანუ იმის მანიშნებელია, რომ ჰაერში ჩამოკიდებული არის კარიბჭე. , დანარჩენი ორი ფუტი იყო წყარო და სანიაღვრე.
განმასხვავებელი მიზეზები:
JFET-ის შეყვანის წინააღმდეგობა 100 MΩ-ზე მეტია, ხოლო ტრანსგამტარობა ძალიან მაღალია, როდესაც კარიბჭის მიმავალი შიდა სივრცის მაგნიტური ველი ძალიან ადვილია მაგნიტურად გამოიწვიოს სამუშაო ძაბვის მონაცემთა სიგნალი კარიბჭეზე, ისე, რომ მილი მიდრეკილია მდე ან მიდრეკილებამდე. იყოს ჩართვა-გამორთვა. თუ სხეულის ინდუქციური ძაბვა დაუყოვნებლივ დაემატება კარიბჭეს, რადგან საკვანძო ელექტრომაგნიტური ჩარევა ძლიერია, ზემოაღნიშნული სიტუაცია უფრო და უფრო მნიშვნელოვანი იქნება. თუ მრიცხველის ნემსი მარცხნივ დიდი გადახრისას, მილის სახელით მიდრეკილია დრენაჟის წყაროს რეზისტორის RDS გაფართოებისკენ, გადინების წყაროს დენის რაოდენობა შემცირებულია IDS. პირიქით, მრიცხველის ნემსი დიდი გადახრის მარჯვნივ, რაც მიუთითებს იმაზე, რომ მილი მიდრეკილია ჩართვა-გამორთვისკენ, RDS ↓, IDS ↑. ამასთან, მრიცხველის ნემსი იმ ბოლოში, რომელ გადახრის მიმართულებაზე უნდა იყოს დამოკიდებული ინდუცირებული ძაბვის დადებით და უარყოფით პოლუსებზე (სამუშაო ძაბვის დადებითი მიმართულება ან სამუშაო ძაბვის საპირისპირო მიმართულება) და ფოლადის მილის მუშაობის წერტილზე.
გაფრთხილებები:
(1) ექსპერიმენტმა აჩვენა, რომ როდესაც ორივე ხელი იზოლირებულია D და S პოლუსებიდან და მხოლოდ კარიბჭეს ეხება, ნემსი ზოგადად იხრება მარცხნივ. თუმცა, თუ ორივე ხელი ეხება თითოეულ D, S- ბოძს და თითებით ჭიშკარს ეხება, შესაძლებელია ნემსის გადახრის დაკვირვება მარჯვნივ. ძირეული მიზეზი არის სხეულის რიგი პოზიციები და რეზისტორები MOSFET-ზე აქვს საცნობარო წერტილის ეფექტი, ასე რომ იგი შევიდა გაჯერების მდგომარეობის არეალში.
გამოქვეყნების დრო: ივლის-22-2024
