MOSFET, ცნობილი როგორც Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, არის ფართოდ გამოყენებული ელექტრონული მოწყობილობა, რომელიც მიეკუთვნება ველის ეფექტის ტრანზისტორის (FET) ტიპს. ძირითადი სტრუქტურაMOSFETშედგება ლითონის კარიბჭისგან, ოქსიდის საიზოლაციო ფენისგან (ჩვეულებრივ სილიციუმის დიოქსიდი SiO2) და ნახევარგამტარული ფენისგან (ჩვეულებრივ სილიკონის Si). მუშაობის პრინციპი არის კარიბჭის ძაბვის კონტროლი, რათა შეცვალოს ელექტრული ველი ზედაპირზე ან ნახევარგამტარის შიგნით, რითაც აკონტროლებს დენს წყაროსა და დრენაჟს შორის.
MOSFET-ებიშეიძლება დაიყოს ორ ძირითად ტიპად: N-არხიMOSFET-ები(NMOS) და P-არხიMOSFET-ები(PMOS). NMOS-ში, როდესაც კარიბჭის ძაბვა წყაროსთან მიმართებაში დადებითია, ნახევარგამტარის ზედაპირზე წარმოიქმნება n ტიპის გამტარი არხები, რომლებიც ელექტრონებს წყაროდან დრენაჟისკენ მიედინება. PMOS-ში, როდესაც კარიბჭის ძაბვა უარყოფითია წყაროსთან მიმართებაში, ნახევარგამტარის ზედაპირზე იქმნება p-ტიპის გამტარი არხები, რომლებიც ხვრელებს წყაროდან დრენაჟისკენ მიედინება.
MOSFET-ებიაქვთ მრავალი უპირატესობა, როგორიცაა მაღალი შეყვანის წინაღობა, დაბალი ხმაური, დაბალი ენერგიის მოხმარება და ინტეგრაციის სიმარტივე, ამიტომ ისინი ფართოდ გამოიყენება ანალოგურ სქემებში, ციფრულ სქემებში, ენერგიის მენეჯმენტში, ელექტროენერგიის ელექტრონიკაში, საკომუნიკაციო სისტემებში და სხვა სფეროებში. ინტეგრირებულ სქემებში,MOSFET-ებიარის ძირითადი ერთეულები, რომლებიც ქმნიან CMOS (დამატებითი ლითონის ოქსიდის ნახევარგამტარული) ლოგიკურ სქემებს. CMOS სქემები აერთიანებს NMOS-ისა და PMOS-ის უპირატესობებს და ხასიათდება დაბალი ენერგიის მოხმარებით, მაღალი სიჩქარით და მაღალი ინტეგრაციით.
გარდა ამისა,MOSFET-ებიშეიძლება დაიყოს გამაძლიერებელ და დაღლილობის ტიპებად იმის მიხედვით, არის თუ არა წინასწარ ჩამოყალიბებული მათი გამტარი არხები. გაძლიერების ტიპიMOSFETკარიბჭეში ძაბვა არის ნულოვანი, როდესაც არხი არ არის გამტარი, საჭიროა გამოიყენოს გარკვეული კარიბჭე ძაბვა გამტარ არხის შესაქმნელად; ხოლო ამოწურვის ტიპიMOSFETკარიბჭეში ძაბვა არის ნულოვანი, როდესაც არხი უკვე გამტარია, კარიბჭის ძაბვა გამოიყენება არხის გამტარობის გასაკონტროლებლად.
მოკლედ,MOSFETარის ველის ეფექტის ტრანზისტორი, რომელიც დაფუძნებულია ლითონის ოქსიდის ნახევარგამტარულ სტრუქტურაზე, რომელიც არეგულირებს დენს წყაროსა და დრენაჟს შორის კარიბჭის ძაბვის კონტროლით და აქვს გამოყენების ფართო სპექტრი და მნიშვნელოვანი ტექნიკური მნიშვნელობა.
გამოქვეყნების დრო: სექ-12-2024
