D-FET არის 0 კარიბჭის მიკერძოება, როდესაც არხის არსებობას შეუძლია FET-ის ჩატარება; E-FET არის 0 კარიბჭის მიკერძოებაში, როდესაც არ არის არხი, ვერ ატარებს FET-ს. ამ ორი ტიპის FET-ს აქვს საკუთარი მახასიათებლები და გამოყენება. ზოგადად, გაძლიერებული FET მაღალსიჩქარიანი, დაბალი სიმძლავრის სქემებში ძალიან ღირებულია; და ეს მოწყობილობა მუშაობს, ეს არის კარიბჭის მიკერძოების პოლარობალტაჟი და გადინება იგივე ძაბვა, უფრო მოსახერხებელია მიკროსქემის დიზაინში.
ეგრეთ წოდებული გაძლიერებული საშუალებები: როდესაც VGS = 0 მილი არის გამორთვის მდგომარეობა, პლუს სწორი VGS, მატარებლების უმრავლესობა იზიდავს კარიბჭეს, რითაც "აძლიერებს" მატარებლებს რეგიონში, ქმნის გამტარ არხს. n-არხიანი გაძლიერებული MOSFET ძირითადად არის მარცხნივ-მარჯვნივ სიმეტრიული ტოპოლოგია, რომელიც არის P-ტიპის ნახევარგამტარი SiO2 ფირის იზოლაციის ფენის წარმოქმნაზე. იგი წარმოქმნის SiO2 ფირის საიზოლაციო ფენას P-ტიპის ნახევარგამტარზე და შემდეგ ავრცელებს ორ მაღალ დოპირებული N- ტიპის რეგიონს.ფოტოლითოგრაფიადა მიჰყავს ელექტროდები N- ტიპის რეგიონიდან, ერთი დრენაჟისთვის D და მეორე S წყაროსთვის. წყაროსა და დრენაჟს შორის საიზოლაციო ფენაზე დაფარულია ალუმინის ლითონის ფენა, როგორც კარი G. როდესაც VGS = 0 V. დრენაჟსა და წყაროს შორის არის საკმაოდ ბევრი დიოდები უკან-უკან დიოდებით და D-სა და S-ს შორის ძაბვა არ ქმნის დენს D-სა და S-ს შორის. დენი D-სა და S-ს შორის არ წარმოიქმნება გამოყენებული ძაბვისგან. .
კარიბჭის ძაბვის დამატებისას, თუ 0 < VGS < VGS(th), კარიბჭესა და სუბსტრატს შორის წარმოქმნილი ტევადი ელექტრული ველის მეშვეობით, პოლიონის ხვრელები P-ტიპის ნახევარგამტარში კარიბჭის ძირის მახლობლად ქვევით დაიძვრება, და ჩნდება უარყოფითი იონების თხელი დაშლის ფენა; ამავდროულად, ის მოიზიდავს მასში არსებულ ოლიგონებს ზედაპირულ ფენაზე გადასაადგილებლად, მაგრამ რაოდენობა შეზღუდულია და არასაკმარისია გამტარი არხის ფორმირებისთვის, რომელიც აკავშირებს გადინებასა და წყაროს, ამიტომ ის ჯერ კიდევ არასაკმარისია სადრენაჟო დენის ID-ის ფორმირებისთვის. შემდგომი გაზრდა VGS, როდესაც VGS > VGS (th) (VGS (th) ეწოდება ჩართვის ძაბვას), რადგან ამ დროს კარიბჭის ძაბვა შედარებით ძლიერი იყო, P-ტიპის ნახევარგამტარულ ზედაპირულ ფენაში, კარიბჭის ძირის მახლობლად, შეკრების ქვემოთ. ელექტრონები, შეგიძლიათ შექმნათ თხრილი, დრენაჟი და კომუნიკაციის წყარო. თუ გადინების წყაროს ძაბვა დაემატება ამ დროს, გადინების დენი შეიძლება ჩამოყალიბდეს ID. ელექტრონები კარიბჭის ქვემოთ წარმოქმნილ გამტარ არხში, რადგან P-ტიპის ნახევარგამტარის მქონე გადამზიდავი ხვრელი საპირისპიროა, ამიტომ მას ანტიტიპის ფენას უწოდებენ. რადგან VGS აგრძელებს ზრდას, ID გაგრძელდება. ID = 0 VGS = 0V-ზე და გადინების დენი ჩნდება მხოლოდ VGS > VGS(th) შემდეგ, ასე რომ, ამ ტიპის MOSFET-ს ეწოდება გამაძლიერებელი MOSFET.
VGS-ის საკონტროლო კავშირი გადინების დენზე შეიძლება აისახოს მრუდით iD = f(VGS(th))|VDS=const, რომელსაც ეწოდება გადაცემის დამახასიათებელი მრუდი და გადაცემის დამახასიათებელი მრუდის დახრილობის სიდიდე, gm, ასახავს გადინების დენის კონტროლს კარიბჭის წყაროს ძაბვის მიერ. gm-ის სიდიდე არის mA/V, ამიტომ gm ასევე ეწოდება ტრანსგამტარობას.
გამოქვეყნების დრო: აგვისტო-04-2024
