MOSFET-ები ელექტრო მანქანების კონტროლერებში

1, MOSFET-ის როლი ელექტრო ავტომობილის კონტროლერში

მარტივი სიტყვებით, ძრავა ამოძრავებს გამომავალი დენითMOSFETრაც უფრო მაღალია გამომავალი დენი (იმისთვის, რომ MOSFET არ დაიწვას, კონტროლერს აქვს დენის ლიმიტის დაცვა), რაც უფრო ძლიერია ძრავის ბრუნვა, მით უფრო ძლიერია აჩქარება.

2, MOSFET-ის ოპერაციული მდგომარეობის მართვის წრე

ღია პროცესი, მდგომარეობა, გამორთული პროცესი, წყვეტის მდგომარეობა, ავარიის მდგომარეობა.

MOSFET-ის ძირითადი დანაკარგები მოიცავს ჩართვის დანაკარგებს (ჩართვა და გამორთვის პროცესი), გამტარობის დანაკარგები, გამორთვის დანაკარგები (გამოწვეული გაჟონვის დენით, რაც უმნიშვნელოა), ზვავის ენერგიის დანაკარგები. თუ ეს დანაკარგები კონტროლდება MOSFET-ის ასატან დიაპაზონში, MOSFET იმუშავებს გამართულად, თუ ის გადააჭარბებს ასატან დიაპაზონს, მოხდება დაზიანება.

გადართვის დანაკარგი ხშირად აღემატება გამტარობის მდგომარეობის დაკარგვას, განსაკუთრებით PWM არ არის ბოლომდე გახსნილი, პულსის სიგანის მოდულაციის მდგომარეობაში (შეესაბამება ელექტრომობილის დაწყების აჩქარების მდგომარეობას), ხოლო ყველაზე მაღალი სწრაფი მდგომარეობა ხშირად არის გამტარობის დაკარგვა. დომინირებდა.

3, ძირითადი მიზეზებიMOSდაზიანება

ჭარბი, მაღალი დენი გამოწვეული მაღალი ტემპერატურის დაზიანებით (მდგრადი მაღალი დენი და მყისიერი მაღალი დენის იმპულსები, რომლებიც გამოწვეულია შეერთების ტემპერატურით აღემატება ტოლერანტობის მნიშვნელობას); გადაჭარბებული ძაბვა, წყარო-დრენაჟის დონე აღემატება ავარიის ძაბვას და ავარიას; კარიბჭის ავარია, როგორც წესი, იმის გამო, რომ კარიბჭის ძაბვა დაზიანებულია გარე ან წამყვანი მიკროსქემით მაქსიმალურ დასაშვებ ძაბვაზე მეტი (ზოგადად საჭიროა კარიბჭის ძაბვა უნდა იყოს 20 ვ-ზე ნაკლები), ასევე სტატიკური ელექტროენერგიის დაზიანება.

4, MOSFET გადართვის პრინციპი

MOSFET არის ძაბვაზე მომუშავე მოწყობილობა, სანამ კარიბჭე G და წყაროს საფეხური S, რათა უზრუნველყოს შესაბამისი ძაბვა წყაროს საფეხურებს S და D შორის, შექმნის გამტარ წრეს წყაროს საფეხურს შორის. ამ დენის ბილიკის წინააღმდეგობა ხდება MOSFET-ის შიდა წინააღმდეგობა, ანუ ჩართული წინააღმდეგობა. ამ შიდა წინააღმდეგობის ზომა ძირითადად განსაზღვრავს მაქსიმალურ დინებას, რომელსაც აქვსMOSFETჩიპს შეუძლია გაუძლოს (რა თქმა უნდა, ასევე დაკავშირებულია სხვა ფაქტორებთან, ყველაზე აქტუალურია თერმული წინააღმდეგობა). რაც უფრო მცირეა შიდა წინააღმდეგობა, მით მეტია დენი.