MOSFET-ების ძირითადი პარამეტრები და ტრიოდებთან შედარება

ველის ეფექტის ტრანზისტორი შემოკლებით, როგორცMOSFET.არსებობს ორი ძირითადი ტიპი: შეერთების ველის ეფექტის მილები და მეტალ-ოქსიდის ნახევარგამტარული ველის ეფექტის მილები. MOSFET ასევე ცნობილია, როგორც ცალმხრივი ტრანზისტორი, რომლის გადამზიდავების უმეტესობა ჩართულია გამტარებლობაში. ეს არის ძაბვის კონტროლირებადი ნახევარგამტარული მოწყობილობები. მაღალი შეყვანის წინააღმდეგობის, დაბალი ხმაურის, დაბალი ენერგიის მოხმარების და სხვა მახასიათებლების გამო, რაც მას ძლიერ კონკურენტად აქცევს ბიპოლარული ტრანზისტორებისა და დენის ტრანზისტორებისთვის.

I. MOSFET-ის ძირითადი პარამეტრები

1, DC პარამეტრები

სატურაციის სადრენაჟო დენი შეიძლება განისაზღვროს, როგორც სადრენაჟო დენი, რომელიც შეესაბამება მაშინ, როდესაც ძაბვა კარიბჭესა და წყაროს შორის ტოლია ნულის ტოლი და ძაბვა დრენაჟსა და წყაროს შორის უფრო მეტია, ვიდრე გამორთვის ძაბვა.

მკვეთრი გამორთვის ძაბვა UP: UGS საჭიროა ID-ის შემცირება მცირე დენამდე, როდესაც UDS გარკვეულია;

ჩართვის ძაბვა UT: UGS საჭიროა ID-ის გარკვეულ მნიშვნელობამდე მიყვანისთვის, როცა UDS გარკვეულია.

2, AC პარამეტრები

დაბალი სიხშირის გამტარობა gm: აღწერს კარიბჭის და წყაროს ძაბვის საკონტროლო ეფექტს გადინების დენზე.

პოლუსთაშორისი ტევადობა: ტევადობა MOSFET-ის სამ ელექტროდს შორის, რაც უფრო მცირეა მნიშვნელობა, მით უკეთესია შესრულება.

3, ლიმიტის პარამეტრები

დრენაჟი, წყაროს დაშლის ძაბვა: როდესაც გადინების დენი მკვეთრად მოიმატებს, ის გამოიწვევს ზვავის ავარიას UDS-ის დროს.

კარიბჭის დაშლის ძაბვა: შეერთების ველის ეფექტის მილის ნორმალური მოქმედება, კარიბჭე და წყარო PN შეერთებას შორის საპირისპირო მიკერძოებულ მდგომარეობაში, დენი ძალიან დიდია ავარიის წარმოებისთვის.

II. მახასიათებლებიMOSFET-ები

MOSFET-ს აქვს გამაძლიერებელი ფუნქცია და შეუძლია შექმნას გაძლიერებული წრე. ტრიოდთან შედარებით, მას აქვს შემდეგი მახასიათებლები.

(1) MOSFET არის ძაბვის კონტროლირებადი მოწყობილობა და პოტენციალი კონტროლდება UGS-ით;

(2) დენი MOSFET-ის შესასვლელში ძალიან მცირეა, ამიტომ მისი შეყვანის წინააღმდეგობა ძალიან მაღალია;

(3) მისი ტემპერატურული სტაბილურობა კარგია, რადგან ის იყენებს უმრავლესობის მატარებლებს გამტარობისთვის;

(4) მისი გამაძლიერებელი წრედის ძაბვის გამაძლიერებელი კოეფიციენტი უფრო მცირეა, ვიდრე ტრიოდის;

(5) უფრო მდგრადია რადიაციის მიმართ.

მესამე,MOSFET და ტრანზისტორი შედარება

(1) MOSFET-ის წყარო, კარიბჭე, დრენაჟი და ტრიოდის წყარო, ბაზა, დაყენებული წერტილის პოლუსი შეესაბამება მსგავსის როლს.

(2) MOSFET არის ძაბვით კონტროლირებადი დენის მოწყობილობა, გამაძლიერებელი კოეფიციენტი მცირეა, გამაძლიერებელი უნარი ცუდია; ტრიოდი არის დენით კონტროლირებადი ძაბვის მოწყობილობა, გამაძლიერებელი უნარი ძლიერია.

(3) MOSFET კარიბჭე ძირითადად არ იღებს დენს; და ტრიოდის მუშაობა, ბაზა შთანთქავს გარკვეულ დენს. ამრიგად, MOSFET კარიბჭის შეყვანის წინააღმდეგობა უფრო მაღალია, ვიდრე ტრიოდის შეყვანის წინააღმდეგობა.

(4) MOSFET-ის გამტარ პროცესს აქვს პოლიტრონის მონაწილეობა, ხოლო ტრიოდს აქვს ორი სახის მატარებლის მონაწილეობა, პოლიტრონი და ოლიგოტრონი, ხოლო ოლიგოტრონის მის კონცენტრაციაზე დიდ გავლენას ახდენს ტემპერატურა, რადიაცია და სხვა ფაქტორები, შესაბამისად, MOSFET აქვს უკეთესი ტემპერატურის სტაბილურობა და რადიაციის წინააღმდეგობა, ვიდრე ტრანზისტორი. MOSFET უნდა შეირჩეს, როდესაც გარემო პირობები ძალიან იცვლება.

(5) როდესაც MOSFET უკავშირდება წყაროს ლითონს და სუბსტრატს, წყარო და დრენაჟი შეიძლება შეიცვალოს და მახასიათებლები დიდად არ იცვლება, ხოლო როდესაც ტრანზისტორის კოლექტორი და ემიტერი იცვლება, მახასიათებლები განსხვავებულია და β მნიშვნელობა. მცირდება.

(6) MOSFET-ის ხმაურის მაჩვენებელი მცირეა.

(7) MOSFET და ტრიოდი შეიძლება შედგებოდეს სხვადასხვა გამაძლიერებლის სქემებისა და გადართვის სქემებისგან, მაგრამ პირველი მოიხმარს ნაკლებ ენერგიას, მაღალ თერმულ სტაბილურობას, მიწოდების ძაბვის ფართო დიაპაზონს, ამიტომ ფართოდ გამოიყენება ფართომასშტაბიანი და ულტრადიდი მასშტაბური ინტეგრირებული სქემები.

(8) ტრიოდის ჩართვის წინააღმდეგობა დიდია, ხოლო MOSFET-ის ჩართვის წინააღმდეგობა მცირეა, ამიტომ MOSFET-ები ძირითადად გამოიყენება როგორც გადამრთველები უფრო მაღალი ეფექტურობით.