მნიშვნელოვანი ნაბიჯები MOSFET შერჩევისას

დღესდღეობით, მეცნიერებისა და ტექნოლოგიების სწრაფი განვითარებით, ნახევარგამტარები გამოიყენება სულ უფრო და უფრო მეტ ინდუსტრიაში, რომელშიცMOSFET ასევე ითვლება ძალიან გავრცელებულ ნახევარგამტარ მოწყობილობად, შემდეგი ნაბიჯი არის იმის გაგება, თუ რა განსხვავებაა ბიპოლარული სიმძლავრის ბროლის ტრანზისტორისა და გამომავალი სიმძლავრის MOSFET-ის მახასიათებლებს შორის.

1, მუშაობის გზა

MOSFET არის სამუშაო საჭირო იმისათვის, რომ ხელი შეუწყოს ოპერაციული ძაბვის, მიკროსქემის დიაგრამები ახსნას შედარებით მარტივი, ხელი შეუწყოს ძალა მცირე; დენის კრისტალური ტრანზისტორი არის დენის ნაკადი, რათა ხელი შეუწყოს პროგრამის დიზაინი უფრო რთული, ხელი შეუწყოს სპეციფიკაცია არჩევანი რთულია ხელი შეუწყოს სპეციფიკაცია საფრთხეს შეუქმნის ელექტრომომარაგების მთლიანი გადართვის სიჩქარეს.

2, ელექტრომომარაგების მთლიანი გადართვის სიჩქარე

MOSFET გავლენას ახდენს ტემპერატურა მცირეა, ელექტრომომარაგების გადართვის გამომავალი სიმძლავრე უზრუნველყოფს, რომ 150KHz-ზე მეტი; დენის კრისტალური ტრანზისტორს აქვს ძალიან ცოტა თავისუფალი დატენვის შენახვის ვადა, მისი ელექტრომომარაგების გადართვის სიჩქარე, მაგრამ მისი გამომავალი სიმძლავრე, როგორც წესი, არ აღემატება 50KHz-ს.

3, უსაფრთხო სამუშაო ადგილი

დენის MOSFET არ აქვს მეორადი საფუძველი და უსაფრთხო სამუშაო ფართობი ფართოა; დენის კრისტალური ტრანზისტორს აქვს მეორეხარისხოვანი მდგომარეობა, რაც ზღუდავს უსაფრთხო სამუშაო ზონას.

4, ელექტრული გამტარის სამუშაო მოთხოვნა სამუშაო ძაბვა

ძალაუფლებაMOSFET მიეკუთვნება მაღალი ძაბვის ტიპს, გამტარობის სამუშაო მოთხოვნა სამუშაო ძაბვა უფრო მაღალია, არის დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტი; დენის კრისტალური ტრანზისტორი რაც არ უნდა ფული იყოს მდგრადი სამუშაო მოთხოვნილების სამუშაო ძაბვის მიმართ, ელექტროგამტარის სამუშაო მოთხოვნილება სამუშაო ძაბვა უფრო დაბალია და აქვს უარყოფითი ტემპერატურის კოეფიციენტი.

5, მაქსიმალური სიმძლავრის ნაკადი

დენის MOSFET ჩართვის ელექტრომომარაგების ჩართვა დენის მიწოდების ჩართვა ელექტრომომარაგების ჩართვა ელექტრომომარაგების ჩამრთველი, ექსპლუატაციაში და სტაბილურ მუშაობას შუა, მაქსიმალური დენის ნაკადი დაბალია; და დენის კრისტალური ტრანზისტორი მუშაობს და სტაბილური მუშაობა შუაში, მაქსიმალური სიმძლავრის ნაკადი უფრო მაღალია.

6, პროდუქტის ღირებულება

ელექტრო MOSFET-ის ღირებულება ოდნავ მაღალია; დენის კრისტალური ტრიოდის ღირებულება ოდნავ დაბალია.

7, შეღწევადობის ეფექტი

Power MOSFET-ს არ აქვს შეღწევადობის ეფექტი; დენის კრისტალური ტრანზისტორს აქვს შეღწევადობის ეფექტი.

8, გადართვის დაკარგვა

MOSFET გადართვის დანაკარგი არ არის დიდი; დენის კრისტალური ტრანზისტორი გადართვის დანაკარგი შედარებით დიდია.

გარდა ამისა, MOSFET-ის აბსოლუტური უმრავლესობა ინტეგრირებულია დარტყმის შთამნთქმელი დიოდი, ხოლო ბიპოლარული დენის კრისტალური ტრანზისტორი თითქმის არ არის ინტეგრირებული დარტყმის შთამნთქმელი დიოდი. დენის ნაკადის უსაფრთხოების არხი. საველე ეფექტის მილის დარტყმის შთამნთქმელი დიოდის მთელი პროცესის გამორთვა ზოგადი დიოდით, როგორც საპირისპირო აღდგენის დენის არსებობა, ამ დროს დიოდი, ერთის მხრივ, დაიკავებს დრენაჟს - წყაროს პოლუსს დადებითი შუა არსებითი. მეორეს მხრივ, სამუშაო ძაბვის სამუშაო მოთხოვნების ზრდა და საპირისპირო აღდგენის დენის ნაკადი.