კარიბჭის ტევადობა, ჩართვის წინააღმდეგობა და MOSFET-ების სხვა პარამეტრები

I. კარიბჭის ტევადობა

კარიბჭის ტევადობა ძირითადად მოიცავს შეყვანის ტევადობას (Ciss), გამომავალ ტევადობას (Coss) და საპირისპირო გადაცემის ტევადობას (Crss, ასევე ცნობილია როგორც მილერის ტევადობა).

შეყვანის ტევადობა (Ciss):

განმარტება: შეყვანის ტევადობა არის მთლიანი ტევადობა კარიბჭესა და წყაროსა და დრენაჟს შორის და შედგება კარიბჭის წყაროს ტევადობისგან (Cgs) და კარიბჭის გადინების ტევადობისგან (Cgd), რომლებიც დაკავშირებულია პარალელურად, ანუ Ciss = Cgs + Cgd.

ფუნქცია: შეყვანის ტევადობა გავლენას ახდენს MOSFET-ის გადართვის სიჩქარეზე. როდესაც შეყვანის ტევადობა დატენილია ზღვრულ ძაბვამდე, მოწყობილობა შეიძლება ჩართოთ; გამორთულია გარკვეულ მნიშვნელობამდე, მოწყობილობა შეიძლება გამორთოთ. ამრიგად, მამოძრავებელი წრე და Ciss პირდაპირ გავლენას ახდენს მოწყობილობის ჩართვა-გამორთვის შეფერხებაზე.

გამომავალი სიმძლავრე (Coss):

განმარტება: გამომავალი სიმძლავრე არის მთლიანი ტევადობა დრენაჟსა და წყაროს შორის და შედგება დრენაჟის წყაროს ტევადობისგან (Cds) და კარიბჭე-დრენაჟის ტევადობისგან (Cgd) პარალელურად, ანუ Coss = Cds + Cgd.

როლი: რბილი გადართვის აპლიკაციებში, Coss ძალიან მნიშვნელოვანია, რადგან შეიძლება გამოიწვიოს რეზონანსი წრეში.

უკუ გადაცემის ტევადობა (Crss):

განმარტება: საპირისპირო გადაცემის ტევადობა ექვივალენტურია კარიბჭის გადინების ტევადობის (Cgd) და ხშირად მოიხსენიება როგორც მილერის ტევადობა.

როლი: საპირისპირო გადაცემის ტევადობა მნიშვნელოვანი პარამეტრია გადამრთველის აწევისა და დაცემის დროისთვის და ის ასევე გავლენას ახდენს გამორთვის შეფერხების დროზე. ტევადობის მნიშვნელობა მცირდება გადინების წყაროს ძაბვის მატებასთან ერთად.

II. წინააღმდეგობა (Rds(on))

განმარტება: ჩართული წინააღმდეგობა არის წინააღმდეგობა MOSFET-ის წყაროსა და გადინებას შორის ჩართულ მდგომარეობაში სპეციფიკურ პირობებში (მაგ., სპეციფიკური გაჟონვის დენი, კარიბჭის ძაბვა და ტემპერატურა).

გავლენის ფაქტორები: On-Resistant არ არის ფიქსირებული მნიშვნელობა, მასზე გავლენას ახდენს ტემპერატურა, რაც უფრო მაღალია ტემპერატურა, მით მეტია Rds(on). გარდა ამისა, რაც უფრო მაღალია გამძლეობის ძაბვა, რაც უფრო სქელია MOSFET-ის შიდა სტრუქტურა, მით უფრო მაღალია შესაბამისი წინააღმდეგობა.

მნიშვნელობა: გადართვის კვების წყაროს ან დრაივერის სქემის დიზაინის შექმნისას აუცილებელია გავითვალისწინოთ MOSFET-ის ჩართულობის წინააღმდეგობა, რადგან MOSFET-ში გამავალი დენი მოიხმარს ენერგიას ამ წინააღმდეგობაზე და მოხმარებული ენერგიის ამ ნაწილს ეწოდება ჩართული. წინააღმდეგობის დაკარგვა. MOSFET-ის არჩევამ დაბალი ჩართვით წინააღმდეგობით შეიძლება შეამციროს წინააღმდეგობის დანაკარგი.

მესამე, სხვა მნიშვნელოვანი პარამეტრები

კარიბჭის ტევადობისა და წინააღმდეგობის გარდა, MOSFET-ს აქვს რამდენიმე სხვა მნიშვნელოვანი პარამეტრი, როგორიცაა:

V(BR)DSS (დრენაჟის წყაროს დაშლის ძაბვა):სადრენაჟო წყაროს ძაბვა, რომლის დროსაც დენი, რომელიც გადის დრენაჟში, აღწევს გარკვეულ მნიშვნელობას კონკრეტულ ტემპერატურაზე და კარიბჭის წყაროს დამოკლებით. ამ მნიშვნელობის ზემოთ, მილი შეიძლება დაზიანდეს.

VGS(th) (ზღვრული ძაბვა):კარიბჭის ძაბვა, რომელიც საჭიროა წყაროსა და დრენაჟს შორის გამტარი არხის წარმოქმნისთვის. სტანდარტული N-არხის MOSFET-ებისთვის VT არის დაახლოებით 3-დან 6 ვოლტამდე.

ID (მაქსიმალური უწყვეტი გადინების დენი):მაქსიმალური უწყვეტი DC დენი, რომელიც შეიძლება დაუშვას ჩიპმა შეერთების მაქსიმალურ ნომინალურ ტემპერატურაზე.

IDM (მაქსიმალური პულსირებული გადინების დენი):ასახავს იმპულსური დენის დონეს, რომელსაც შეუძლია გაუმკლავდეს მოწყობილობას, იმპულსური დენი გაცილებით მაღალია, ვიდრე უწყვეტი DC დენი.

PD (მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა):მოწყობილობას შეუძლია დახარჯოს ენერგიის მაქსიმალური მოხმარება.

მოკლედ, MOSFET-ის კარიბჭის ტევადობა, წინააღმდეგობა და სხვა პარამეტრები გადამწყვეტია მისი მუშაობისა და გამოყენებისთვის და უნდა შეირჩეს და დაპროექტდეს კონკრეტული განაცხადის სცენარებისა და მოთხოვნების შესაბამისად.