De rol van vermogens-MOSFET-აპარატენი

De rol van vermogens-MOSFET-აპარატი

გამოქვეყნების დრო: მაისი-27-2024

ძალაუფლებაMOSFET ეს არის ერთგვარი შეფარდებითი კლასის კლასში, რომელიც აწარმოებს, "MOSFET" არის ინგლისური "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor". Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel door het metal materiaal, SiO2 of SiN და halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan output, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de functie van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterde type en licht kauplenti. onderverdeeld in N-kanaal ტიპის და P-kanaal ტიპის.

Power MOSFET's worden მეტი het algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenMOSFET-ფაბრიკანტენი პარამეტრი RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON) არის კარგი კრიტერიუმები, რომლებიც გამოიყენება FET-toepassingen. მონაცემთა საინფორმაციო გზამკვლევი განსაზღვრავს RDS(ON) in relatie tot de bedrijfsspanning van de gate, VGS, en de stroom die door de vermogensschakelaar vloeit, maar RDS(ON) არის შესაბამისი სტატისტიკური gegevensparameter voor voldoende gate drive.

Als een MOSFET-ის ფაბრიკანტი een schakelende voeding wil ontwikkelen შეხვდა მინიმალური ontwerpspecificaties in kosten, არის een lage uitschakelkarakteristieke impedantie en must. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET-ის პარალელურად ლატენი ვერკენ en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. In veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's in Serie Schakelen Zodat de RDS(ON) redelijk kan worden gereduceerd.

Naast RDS(ON), ამ პროცესის MOSFET-ის შერჩევისას, თქვენ უნდა აირჩიოთ MOSFET-ის პარამეტრები. In veel gevallen moeten ontwerpers goed letten op de SOA-grafiek in de Data Information Guide, die de correlatie tussen drainstroom en drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Voor het grootste deel definieert SOA de voedingsspanning en stroom warbij de MOSFET veilig kan werken.

ზემოაღნიშნული ტიპის დატვირთვის პირობებისთვის, უფრო დიდი საოპერაციო ძაბვის შეფასების (ან გაზომვის) და შემდეგ 20%-დან 30%-მდე ზღვრის დატოვების შემდეგ, შეგიძლიათ მიუთითოთ MOSFET-ის საჭირო ნომინალური მიმდინარე VDS მნიშვნელობა. აქვე უნდა ითქვას, რომ უკეთესი ღირებულებისა და უფრო გლუვი მახასიათებლების მისაღებად, AC დენის სერიის დენის დიოდები და ინდუქტორები შეიძლება აირჩიონ დენის კონტროლის მარყუჟის შემადგენლობის დახურვისას, გაათავისუფლონ ინდუქციური დენის კინეტიკური ენერგიის შესანარჩუნებლად. MOSFET. რეიტინგული დენი ნათელია, დენი შეიძლება გამოიტანოს. მაგრამ აქ უნდა გავითვალისწინოთ ორი პარამეტრი: ერთი არის დენის მნიშვნელობა უწყვეტი მუშაობისას და ერთი პულსის დენის მწვერვალის უმაღლესი მნიშვნელობა (Spike და Surge). მიმდინარე ღირებულება.