MOSFET-ების მახასიათებლები და გამოყენების სიფრთხილის ზომები

I. MOSFET-ის განმარტება

როგორც ძაბვაზე ორიენტირებული, მაღალი დენის მოწყობილობები, MOSFET-ები აქვს დიდი რაოდენობით გამოყენება სქემებში, განსაკუთრებით ენერგოსისტემებში. MOSFET სხეულის დიოდები, ასევე ცნობილი როგორც პარაზიტული დიოდები, არ არის ნაპოვნი ინტეგრირებული სქემების ლითოგრაფიაში, მაგრამ გვხვდება ცალკეულ MOSFET მოწყობილობებში, რომლებიც უზრუნველყოფენ საპირისპირო დაცვას და დენის გაგრძელებას მაღალი დენებისაგან და ინდუქციური დატვირთვების დროს.

ამ დიოდის არსებობის გამო, MOSFET-ის მოწყობილობა უბრალოდ არ ჩანს წრედში გადართვისას, რადგან დამუხტვის წრეში, სადაც დატენვა დასრულებულია, ელექტროენერგია ამოღებულია და ბატარეა უკუნაჩვენებია გარეთ, რაც, როგორც წესი, არასასურველი შედეგია.

MOSFET-ების მახასიათებლები და გამოყენების სიფრთხილის ზომები

ზოგადი გამოსავალი არის დიოდის დამატება უკანა მხარეს ელექტროენერგიის უკუ მიწოდების თავიდან ასაცილებლად, მაგრამ დიოდის მახასიათებლები განსაზღვრავს ძაბვის წინა ვარდნის აუცილებლობას 0.6-1 ვ, რაც იწვევს სერიოზულ სითბოს წარმოქმნას მაღალ დენებში და იწვევს ნარჩენებს. ენერგეტიკისა და საერთო ენერგოეფექტურობის შემცირებას. კიდევ ერთი მეთოდია ზურგის უკან MOSFET-ის მიმაგრება, MOSFET-ის დაბალი წინააღმდეგობის გამოყენებით ენერგოეფექტურობის მისაღწევად.

უნდა აღინიშნოს, რომ გამტარობის შემდეგ MOSFET-ის არამიმართულებაა, ასე რომ, წნევით გამტარობის შემდეგ, ის ექვივალენტურია მავთულის, მხოლოდ რეზისტენტული, ძაბვის ვარდნის გარეშე, ჩვეულებრივ გაჯერებულია რამდენიმე მილიოჰმამდე.დროული მილიომები, და არამიმართული, რომელიც იძლევა DC და AC დენის გავლის საშუალებას.

II. MOSFET-ების მახასიათებლები

1, MOSFET არის ძაბვის კონტროლირებადი მოწყობილობა, არ არის საჭირო ამძრავის საფეხური მაღალი დენების გასატარებლად;

2, შეყვანის მაღალი წინააღმდეგობა;

3, ოპერაციული სიხშირის ფართო დიაპაზონი, გადართვის მაღალი სიჩქარე, დაბალი დანაკარგი

4, AC კომფორტული მაღალი წინაღობა, დაბალი ხმაური.

5,მრავალჯერადი პარალელური გამოყენება, გაზრდის გამომავალი დენი

მეორე, MOSFET-ების გამოყენება სიფრთხილის ზომების მიღების პროცესში

1, MOSFET-ის უსაფრთხო გამოყენების უზრუნველსაყოფად, ხაზის დიზაინში არ უნდა აღემატებოდეს მილსადენის ენერგიის გაფრქვევას, მაქსიმალური გაჟონვის წყაროს ძაბვას, კარიბჭის წყაროს ძაბვას და დენს და სხვა პარამეტრების ზღვრულ მნიშვნელობებს.

2, სხვადასხვა ტიპის MOSFET-ები გამოიყენება, უნდაიყოს მკაცრად ჩართვაზე საჭირო მიკერძოებული წვდომის შესაბამისად, MOSFET ოფსეტის პოლარობის შესასრულებლად.

3. MOSFET-ის დაყენებისას ყურადღება მიაქციეთ სამონტაჟო პოზიციას, რათა თავიდან აიცილოთ გათბობის ელემენტთან ახლოს. ფიტინგების ვიბრაციის თავიდან ასაცილებლად, ჭურვი უნდა იყოს გამკაცრებული; ქინძისთავების მოხრა უნდა განხორციელდეს ფესვის ზომაზე 5 მმ-ზე მეტი, რათა თავიდან აიცილოს ქინძისთავის დახრილობა და გაჟონვა.

4, უკიდურესად მაღალი შეყვანის წინაღობის გამო, MOSFET-ები ტრანსპორტირებისა და შენახვის დროს უნდა ჩამოიჭრას პინიდან და შეფუთული იყოს ლითონის ფარით, რათა თავიდან აიცილოს კარიბჭის გარე გამოწვეული პოტენციური ავარია.

5. შეერთების MOSFET-ების კარიბჭის ძაბვა არ შეიძლება შეიცვალოს და მისი შენახვა შესაძლებელია ღია წრეში, მაგრამ იზოლირებული კარიბჭის MOSFET-ების შეყვანის წინააღმდეგობა ძალიან მაღალია, როდესაც ისინი არ გამოიყენება, ამიტომ თითოეული ელექტროდი უნდა იყოს მოკლე ჩართვა. იზოლირებული კარიბჭის MOSFET-ების შედუღებისას დაიცავით წყარო-გადინების კარიბჭის მიმდევრობა და შედუღება გამორთულია.

MOSFET-ების უსაფრთხო გამოყენების უზრუნველსაყოფად, თქვენ უნდა გესმოდეთ MOSFET-ების მახასიათებლები და სიფრთხილის ზომები, რომლებიც უნდა იქნას მიღებული ამ პროცესის გამოყენებისას, იმედი მაქვს, რომ ზემოაღნიშნული რეზიუმე დაგეხმარებათ.