MOSFET-ის უკმარისობის მიზეზები და პრევენცია

ორი ძირითადი მიზეზიof MOSFET წარუმატებლობა:

ძაბვის უკმარისობა: ანუ, BVdss ძაბვა გადინებასა და წყაროს შორის აღემატება ნომინალურ ძაბვასMOSFET და აღწევს გარკვეული სიმძლავრე, რაც იწვევს MOSFET-ის მარცხს.

კარიბჭის ძაბვის უკმარისობა: კარიბჭე განიცდის არანორმალურ ძაბვას, რაც იწვევს კარიბჭის ჟანგბადის ფენის უკმარისობას.

MOSFET-ის წარუმატებლობის მიზეზები და პრევენცია

კოლაფსის გაუმართაობა (ძაბვის უკმარისობა)

კონკრეტულად რა არის ზვავის დაზიანება? მარტივად რომ ვთქვათ,MOSFET არის უკმარისობის რეჟიმი, რომელიც შექმნილია ავტობუსის ძაბვებს, ტრანსფორმატორის ასახვის ძაბვებს, გაჟონვის მწვერვალების ძაბვებს და ა.შ. და MOSFET-ს შორის. მოკლედ, ეს არის ჩვეულებრივი მარცხი, რომელიც ხდება მაშინ, როდესაც MOSFET-ის გადინების წყაროს ბოძზე ძაბვა აღემატება მითითებულ ძაბვის მნიშვნელობას და აღწევს ენერგიის გარკვეულ ზღვარს.

ზომები ზვავის დაზიანების თავიდან ასაცილებლად:

-შეამცირეთ დოზა სათანადოდ. ამ ინდუსტრიაში ის ჩვეულებრივ მცირდება 80-95%-ით. აირჩიეთ კომპანიის საგარანტიო პირობებისა და ხაზის პრიორიტეტების მიხედვით.

- ამრეკლავი ძაბვა გონივრულია.

-RCD, TVS შთანთქმის მიკროსქემის დიზაინი გონივრულია.

-მაღალი დენის გაყვანილობა უნდა იყოს რაც შეიძლება დიდი პარაზიტული ინდუქციურობის შესამცირებლად.

-აირჩიეთ შესაბამისი კარიბჭის რეზისტორი Rg.

-დაამატეთ RC დემპინგი ან ზენერის დიოდური შთანთქმა მაღალი დენის წყაროებისთვის საჭიროებისამებრ.

MOSFET-ის უკმარისობის მიზეზები და პრევენცია (1)

კარიბჭის ძაბვის უკმარისობა

ქსელში არანორმალურად მაღალი ძაბვის სამი ძირითადი მიზეზი არსებობს: სტატიკური ელექტროენერგია წარმოების, ტრანსპორტირებისა და აწყობის დროს; ენერგოსისტემის მუშაობისას აღჭურვილობისა და სქემების პარაზიტული პარამეტრებით წარმოქმნილი მაღალი ძაბვის რეზონანსი; და მაღალი ძაბვის გადაცემა Ggd-ის მეშვეობით ქსელში მაღალი ძაბვის დარტყმების დროს (დარღვევა, რომელიც უფრო ხშირია ელვისებური დარტყმის ტესტირების დროს).

ზომები კარიბჭის ძაბვის გაუმართაობის თავიდან ასაცილებლად:

გადაჭარბებული ძაბვის დაცვა კარიბჭესა და წყაროს შორის: როდესაც კარიბჭესა და წყაროს შორის წინაღობა ძალიან მაღალია, კარიბჭესა და წყაროს შორის ძაბვის უეცარი ცვლილება უკავშირდება ჭიშკარს ელექტროდებს შორის ტევადობის მეშვეობით, რაც იწვევს UGS ძაბვის ძალიან მაღალ რეგულირებას. რაც იწვევს კარიბჭის ზედმეტ რეგულირებას. მუდმივი ჟანგვითი დაზიანება. თუ UGS არის დადებით გარდამავალ ძაბვაზე, მოწყობილობამ ასევე შეიძლება გამოიწვიოს შეცდომები. ამის საფუძველზე, კარიბჭის წამყვანი მიკროსქემის წინაღობა სათანადოდ უნდა შემცირდეს და ჭიშკარსა და წყაროს შორის უნდა იყოს დაკავშირებული ამორტიზაციის რეზისტორი ან 20 ვ სტაბილიზაციის ძაბვა. განსაკუთრებული სიფრთხილე უნდა იქნას მიღებული ღია კარის მუშაობის თავიდან ასაცილებლად.

გადაჭარბებული ძაბვისგან დაცვა გამონადენი მილებს შორის: თუ წრეში არის ინდუქტორი, გაჟონვის დენის (di/dt) უეცარი ცვლილებები, როდესაც დანადგარი გამორთულია, გამოიწვევს გაჟონვის ძაბვის გადაჭარბებას მიწოდების ძაბვაზე საკმაოდ მაღლა, რაც გამოიწვევს დანაყოფის დაზიანებას. დაცვა უნდა მოიცავდეს ზენერის დამჭერს, RC დამჭერს ან RC ჩახშობის წრეს.