ძირითადი მოთხოვნები MOSFET დრაივერის სქემებისთვის

ძირითადი მოთხოვნები MOSFET დრაივერის სქემებისთვის

გამოქვეყნების დრო: მაისი-21-2024

გადართვის კვების წყაროს ან ძრავის ამძრავი მიკროსქემის დიზაინის შექმნისას MOSFET-ების გამოყენებით, ადამიანების უმეტესობა ითვალისწინებს MOSFET-ების ჩართულ წინააღმდეგობას, მაქსიმალურ ძაბვას, მაქსიმალურ დენს და ა.შ. და ბევრი ადამიანი ითვალისწინებს მხოლოდ ამ ფაქტორებს. ასეთი წრე შეიძლება იმუშაოს, მაგრამ ეს არ არის ოპტიმალური გადაწყვეტა და ეს დაუშვებელია, როგორც პროდუქტის ოფიციალური დიზაინი. ასე რომ, რა მოთხოვნები იქნება კარგიMOSFET მძღოლის წრე? მოდით გავარკვიოთ!

დანამატი WINSOK MOSFET

(1) როდესაც გადამრთველი მყისიერად ჩაირთვება, მძღოლის წრეს უნდა შეეძლოს უზრუნველყოს საკმარისად დიდი დატენვის დენი, ისე რომMOSFET კარიბჭის წყაროს ძაბვა სწრაფად იზრდება სასურველ მნიშვნელობამდე და იმის უზრუნველსაყოფად, რომ გადამრთველი შეიძლება სწრაფად იყოს ჩართული და არ იყოს მაღალი სიხშირის რხევები აღმავალ კიდეზე.

(2) ჩართვის პერიოდში, წამყვანი წრე უნდა უზრუნველყოს, რომMOSFET კარიბჭის წყაროს ძაბვა რჩება სტაბილური და საიმედო გამტარობა.

(3) გამორთვა მყისიერი წამყვანი წრე, უნდა შეეძლოს უზრუნველყოს დაბალი წინაღობის ბილიკი, MOSFET კარიბჭის წყაროს ტევადობის ძაბვა სწრაფი გამონადენის ელექტროდებს შორის, რათა უზრუნველყოს გადამრთველის სწრაფად გამორთვა.

(4) წამყვანი მიკროსქემის სტრუქტურა მარტივი და საიმედოა, დაბალი დანაკარგი.


დაკავშირებულიშინაარსი