MOSFET-ის არაეფექტურობის მიზეზების ანალიზი

1, ძაბვის უკმარისობა ხშირად ამბობენ, რომ გაჟონვა BVdss-ის წყაროს შორის აჭარბებს მოსფეტის ნომინალურ ძაბვას და სცილდება გარკვეულ უნარს, გამოიწვიოს მოსფეტის უკმარისობა.

2, მიმდინარე უკმარისობა, რომელიც აღემატება mosfet-ის უსაფრთხო სამუშაო დიაპაზონს და არასწორი, რომელიც დაყოფილია ID-ად, აღემატება მოწყობილობის სპეციფიკაციებს და მისი Id-ით გამოწვეული უკმარისობა არის ძალიან დიდი, მაღალი ცვეთა და ცვეთა, რაც იწვევს ხანგრძლივ თერმულ დაგროვებას. მოწყობილობა და მარცხი.

3, ხიდში, შპს და სხვა ეფექტური სხეულის დიოდი განახორციელოს მიმდინარე ტოპოლოგია, რადგან სხეულის დიოდი განადგურებულია და არასწორია.

4, პარალელურად განაცხადის პროცესში, კარიბჭე მიკროსქემის პარაზიტული პარამეტრებით იწვევს რყევებს, გამოიწვევს რეზონანსის უკმარისობას.

5, მშრალ გარემოში, რადგან ადამიანის სხეული და აღჭურვილობა და მოწყობილობის მიერ წარმოქმნილი სტატიკური ელექტროენერგია გამოიწვევს სტატიკურ არაეფექტურობას.

6. კარიბჭის ძაბვა არასწორია კარიბჭეზე მოქმედი ძაბვის არანორმალური პიკის გამო.

ზემოაღნიშნული ეფუძნებაMOSFETწარუმატებლობის მიზეზების ანალიზი, ჩვენ ვაკეთებთ შესაბამის გადამამუშავებელ ოპერაციებს, არის სხვა საკითხები, მივესალმებით ონლაინ კონსულტაციას კომპანია Guanhua Weiye, შეუძლია მოგაწოდოთ ეფექტური პასუხები და ხარისხიანი სერვისის დამოკიდებულება.
ოლუკეიკომპანია საკრედიტო გადარჩენისთვის, "ხარისხი უპირველეს ყოვლისა, პირველ რიგში მომსახურება" მიზნის დაცვა და მრავალი მაღალტექნოლოგიური საწარმო სახლში და მის ფარგლებს გარეთ, ორიგინალური ქარხანა კარგი სამუშაო ურთიერთობის დამყარებისთვის, დისტრიბუციის მრავალწლიანი პროფესიონალური გამოცდილებით, კარგი კრედიტით, შესანიშნავი მომსახურება, ნდობისა და მხარდაჭერის ფართო სპექტრის ხელმისაწვდომობა.