დენის MOSFET-ის მუშაობის პრინციპის შესახებ

Power MOSFET-ები მუშაობს ორი ძირითადი გზით:

(1) როდესაც დადებითი ძაბვა ემატება D-ს და S-ს (დრენაჟის დადებითი, წყარო უარყოფითი) და UGS=0, PN შეერთება P სხეულის რეგიონში და N დრენაჟის რეგიონში არის საპირისპირო მიკერძოებული და D-ს შორის დენი არ გადის. და S. თუ G-სა და S-ს შორის დადებითი ძაბვის UGS დაემატება, კარიბჭის დენი არ შემოვა, რადგან კარიბჭე იზოლირებულია, მაგრამ კარიბჭეზე დადებითი ძაბვა უბიძგებს ხვრელებს. ქვემოთ P რეგიონიდან დაშორებით და უმცირესობის გადამზიდავი ელექტრონები მიიზიდება P რეგიონის ზედაპირზე, როდესაც UGS მეტია გარკვეულ UT ძაბვაზე, ელექტრონის კონცენტრაცია კარიბჭის ქვეშ P რეგიონის ზედაპირზე გადააჭარბებს ხვრელის კონცენტრაციას. რითაც ხდება P-ტიპის ნახევარგამტარის ანტიპატერნის შრის N-ტიპის ნახევარგამტარი; ეს ანტიპატერნის ფენა ქმნის N- ტიპის არხს წყაროსა და დრენაჟს შორის, ასე რომ, PN შეერთება ქრება, წყარო და დრენაჟი გამტარია და დრენაჟის დენის ID მიედინება დრენაჟში. UT ეწოდება ჩართვის ძაბვას ან ბარიერის ძაბვას და რაც უფრო მეტია UGS UT-ს, მით უფრო გამტარია გამტარუნარიანობა და მით უფრო დიდია ID. რაც უფრო დიდია UGS UT-ს, მით უფრო ძლიერია გამტარობა, მით მეტია ID.

(2) როდესაც D, S პლუს უარყოფითი ძაბვა (წყარო დადებითი, გადინების უარყოფითი), PN შეერთება არის წინ მიკერძოებული, ექვივალენტური შიდა საპირისპირო დიოდის (არ აქვს სწრაფი რეაგირების მახასიათებლები), ანუMOSFET არ გააჩნია საპირისპირო ბლოკირების შესაძლებლობა, შეიძლება ჩაითვალოს შებრუნებულ გამტარ კომპონენტად.

    მიერMOSFET მოქმედების პრინციპი ჩანს, მისი გამტარებლობა მხოლოდ ერთი პოლარობის მატარებელია ჩართული გამტარში, ასევე ცნობილია როგორც ერთპოლარული ტრანზისტორი. MOSFET დისკი ხშირად ეფუძნება კვების წყაროს IC და MOSFET პარამეტრებს შესაბამისი სქემის შესარჩევად, MOSFET ზოგადად გამოიყენება გადართვისთვის. ელექტრომომარაგების წამყვანი წრე. MOSFET-ის გამოყენებით გადართვის ელექტრომომარაგების დიზაინის დროს, ადამიანების უმეტესობა ითვალისწინებს MOSFET-ის ჩართულ წინააღმდეგობას, მაქსიმალურ ძაბვას და მაქსიმალურ დენს. თუმცა, ადამიანები ძალიან ხშირად ითვალისწინებენ მხოლოდ ამ ფაქტორებს, რათა წრემ სწორად იმუშაოს, მაგრამ ეს არ არის კარგი დიზაინის გადაწყვეტა. უფრო დეტალური დიზაინისთვის, MOSFET-მა ასევე უნდა გაითვალისწინოს საკუთარი პარამეტრის ინფორმაცია. გარკვეული MOSFET-ისთვის, მისი მამოძრავებელი წრე, წამყვანის გამომავალი დენი და ა.შ. გავლენას მოახდენს MOSFET-ის გადართვის მუშაობაზე.