WSM340N10G N-არხი 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

მოკლე აღწერა:

მოდელის ნომერი:WSM340N10G

BVDSS:100 ვ

RDSON:1.6mΩ

ID:340A

არხი:N-არხი

პაკეტი:TOLL-8L

პროდუქტის შეჯამება:WSM340N10G MOSFET-ის ძაბვა არის 100V, დენი 340A, წინააღმდეგობა 1.6mΩ, არხი N-არხია, პაკეტი კი TOLL-8L.

აპლიკაციები:სამედიცინო აღჭურვილობა, დრონები, PD კვების წყაროები, LED კვების წყაროები, სამრეწველო აღჭურვილობა და ა.შ.

გამოკითხვის გაგზავნა PDF

პროდუქტის დეტალი

განაცხადი

პროდუქტის ტეგები

ზოგადი აღწერა

WSM340N10G არის ყველაზე მაღალი ხარისხის თხრილის N-Ch MOSFET უჯრედის უკიდურესად მაღალი სიმკვრივით, რომელიც უზრუნველყოფს შესანიშნავ RDSON და კარიბჭის დამუხტვას სინქრონული ბუკ კონვერტორის აპლიკაციების უმეტესობისთვის. WSM340N10G აკმაყოფილებს RoHS და მწვანე პროდუქტის მოთხოვნებს, 100% EAS გარანტირებულია სრული ფუნქციის საიმედოობით დამტკიცებული.

მახასიათებლები

მოწინავე მაღალი უჯრედის სიმკვრივის თხრილის ტექნოლოგია, სუპერ დაბალი კარიბჭის დამუხტვა, შესანიშნავი CdV/dt ეფექტის დაქვეითება, 100% EAS გარანტირებული, მწვანე მოწყობილობა ხელმისაწვდომია.

აპლიკაციები

სინქრონული რექტიფიკაცია, DC/DC კონვერტორი, დატვირთვის შეცვლა, სამედიცინო აღჭურვილობა, დრონები, PD კვების წყაროები, LED კვების წყაროები, სამრეწველო აღჭურვილობა და ა.შ.

მნიშვნელოვანი პარამეტრები

აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგები

სიმბოლო	პარამეტრი	რეიტინგი	ერთეულები
VDS	გადინების წყაროს ძაბვა	100	V
VGS	კარიბჭე-წყაროს ძაბვა	±20	V
ID@TC=25℃	უწყვეტი გადინების დენი, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100℃	უწყვეტი გადინების დენი, VGS @ 10V	230	A
IDM	პულსური გადინების დენი..TC=25°C	1150 წ	A
EAS	ზვავის ენერგია, ერთჯერადი პულსი, L=0.5mH	1800 წ	mJ
ბასს	ზვავის დენი, ერთჯერადი პულსი, L=0.5mH	120	A
PD@TC=25℃	ენერგიის სრული გაფანტვა	375	W
PD@TC=100℃	ენერგიის სრული გაფანტვა	187	W
TSTG	შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი	-55-დან 175-მდე	℃
TJ	ოპერაციული კვანძის ტემპერატურის დიაპაზონი	175	℃

ელექტრული მახასიათებლები (TJ=25℃, თუ სხვაგვარად არ არის მითითებული)

სიმბოლო	პარამეტრი	პირობები	მინ.	ტიპი.	მაქს.	ერთეული
BVDSS	გადინების წყაროს დაშლის ძაბვა	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS ტემპერატურის კოეფიციენტი	მითითება 25℃, ID=1mA	---	0.096	---	V/℃
RDS(ჩართული)	სტატიკური გადინების წყაროს წინააღმდეგობა	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(ე)	კარიბჭის ბარიერი ძაბვა	VGS=VDS, ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(ე)	VGS(th) ტემპერატურის კოეფიციენტი	VGS=VDS, ID =250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	გადინების წყაროს გაჟონვის დენი	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	გადინების წყაროს გაჟონვის დენი	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	კარიბჭე-წყაროს გაჟონვის დენი	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
Rg	კარიბჭის წინააღმდეგობა	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	კარიბჭის მთლიანი დამუხტვა (10V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	80	---
ქგდ	კარიბჭე-გადინების მუხტი		---	60	---
Td(on)	ჩართვის დაყოვნების დრო	VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	აწევის დრო		---	50	---
Td (გამორთულია)	გამორთვის დაყოვნების დრო		---	228	---
Tf	შემოდგომის დრო		---	322	---
ცისი	შეყვანის ტევადობა	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900 წ	---	pF
კოსს	გამომავალი ტევადობა		---	6160	---
Crss	უკუ გადაცემის ტევადობა		---	220	---