-
CMS8H1213 MCU Cmsemicon® პაკეტი SSOP24 Batch 24+
Cmsemicon® MCU მოდელი CMS8H1213 არის მაღალი სიზუსტის საზომი SoC, რომელიც დაფუძნებულია RISC ბირთვზე, ძირითადად გამოიყენება მაღალი სიზუსტის გაზომვის სფეროებში, როგორიცაა ადამიანის სასწორები, სამზარეულოს სასწორები და საჰაერო ტუმბოები. ქვემოთ გაგაცნობთ დეტალურ პარამეტრებს ...დაწვრილებით -
ორიგინალური ადგილზე CMS79F726 პაკეტი SOP20 სენსორული ღილაკით 8-პინიანი მიკროკონტროლერის ჩიპი
Cmsemicon® MCU მოდელის CMS79F726-ის დეტალური პარამეტრები მოიცავს, რომ ეს არის 8-ბიტიანი მიკროკონტროლერი და ოპერაციული ძაბვის დიაპაზონი არის 1.8V-დან 5.5V-მდე. ამ მიკროკონტროლერს აქვს 8Kx16 FLASH და 256x8 ოპერატიული მეხსიერება, ასევე აღჭურვილია 128x8 Pro EE...დაწვრილებით -
PCM3360Q მაღალი ხარისხის ელექტრონული კომპონენტები Cmsemicon® პაკეტი QFN32
Zhongwei მოდელი PCM3360Q არის მაღალი ხარისხის აუდიო ანალოგური ციფრული გადამყვანი (ADC), რომელიც ძირითადად გამოიყენება მანქანის აუდიო სისტემებში. მას აქვს 6 ADC არხი, შეუძლია ანალოგური შეყვანის სიგნალების დამუშავება და 10VRMS-მდე დიფერენციალური შეყვანის მხარდაჭერა. გარდა ამისა, ჩიპი აერთიანებს პროგრამულ...დაწვრილებით -
გაძლიერებისა და ამოწურვის MOSFET-ების ანალიზი
D-FET არის 0 კარიბჭის მიკერძოება, როდესაც არხის არსებობას შეუძლია FET-ის ჩატარება; E-FET არის 0 კარიბჭის მიკერძოებაში, როდესაც არ არის არხი, ვერ ატარებს FET-ს. ამ ორი ტიპის FET-ს აქვს საკუთარი მახასიათებლები და გამოყენება. ზოგადად, გაძლიერებული FET მაღალი სიჩქარით, დაბალი სიმძლავრის ...დაწვრილებით -
MOSFET პაკეტის შერჩევის სახელმძღვანელო მითითებები
მეორე, სისტემის შეზღუდვების ზომა ზოგიერთი ელექტრონული სისტემა შემოიფარგლება PCB-ის ზომით და შიდა სიმაღლით, როგორიცაა საკომუნიკაციო სისტემები, მოდულური ელექტრომომარაგება სიმაღლის შეზღუდვის გამო, როგორც წესი, იყენებენ DFN5 * 6, DFN3 * 3 პაკეტს; ზოგიერთ ACDC ელექტრომომარაგებაში,...დაწვრილებით -
მაღალი სიმძლავრის MOSFET-ის მამოძრავებელი მიკროსქემის წარმოების მეთოდი
არსებობს ორი ძირითადი გამოსავალი: ერთი არის სპეციალური დრაივერების ჩიპის გამოყენება MOSFET-ის მართვისთვის, ან სწრაფი ფოტოდამწყებლების გამოყენება, ტრანზისტორები ქმნიან წრეს MOSFET-ის მართვისთვის, მაგრამ პირველი ტიპის მიდგომა მოითხოვს დამოუკიდებელი ელექტრომომარაგების უზრუნველყოფას; მეორე...დაწვრილებით -
MOSFET სითბოს წარმოქმნის მნიშვნელოვანი მიზეზების ანალიზი
N ტიპის, P ტიპის MOSFET მუშაობის პრინციპი არსი იგივეა, MOSFET ძირითადად ემატება კარიბჭის ძაბვის შეყვანის მხარეს, რათა წარმატებით აკონტროლოს გადინების დენის გამომავალი მხარე, MOSFET არის ძაბვის კონტროლირებადი მოწყობილობა, დამატებული ძაბვის საშუალებით. კარიბჭისკენ...დაწვრილებით -
როგორ განვსაზღვროთ, რომ მაღალი სიმძლავრის MOSFET დამწვარია დამწვრობის შედეგად
(1) MOSFET არის ძაბვის მანიპულირებადი ელემენტი, ხოლო ტრანზისტორი არის დენის მანიპულირებადი ელემენტი. მართვის უნარი მიუწვდომელია, წამყვანი დენი ძალიან მცირეა, უნდა აირჩიოთ MOSFET; და სიგნალში ძაბვა დაბალია და პირობა დადო, რომ მეტ დენს მიიღებს...დაწვრილებით -
ელექტრომობილების დაფები მიდრეკილია ნგრევისკენ, შესაძლოა ეს დაკავშირებული იყოს გამოყენებული MOSFET-ების ხარისხთან.
ამ ეტაპზე ბაზარი დიდი ხანია სულ უფრო და უფრო მეტია ელექტრო სატრანსპორტო საშუალებებზე, აღიარებულია მისი გარემოსდაცვითი მახასიათებლები და არსებობს დიზელის საწვავის მობილურობის ხელსაწყოების განვითარების ტენდენციის შემცვლელი, ელექტრო მანქანები ასევე ჰგავს სხვა მობილურ ინსტრუმენტებს.დაწვრილებით -
როგორ ავიცილოთ თავიდან MOSFET-ის უკმარისობა
ამ ეტაპზე ინდუსტრიის განაცხადის დონეზე, პირველი რეიტინგული სამომხმარებლო ელექტრონიკის მოწყობილობის ადაპტერი საქონელი. და MOSFET-ის აღქმის ძირითადი გამოყენების მიხედვით, MOSFET-ზე მოთხოვნა მეორე ადგილზეა კომპიუტერის დედაპლატზე, NB, კომპიუტერის პროფესიონალური კვების ადაპტერი, LCD დისპლეი...დაწვრილებით -
ლითიუმის ბატარეის დამუხტვა ადვილად ზიანდება, გეხმარებათ WINSOK MOSFET!
ლითიუმი, როგორც ახალი ტიპის ეკოლოგიურად სუფთა ბატარეები, დიდი ხანია თანდათან გამოიყენება ბატარეის მანქანებში. უცნობია ლითიუმის რკინის ფოსფატის მრავალჯერადი დატენვის ბატარეების მახასიათებლების გამო, გამოყენებული უნდა იყოს მისი ბატარეის დატენვის პროცესი, რათა შენარჩუნდეს წინასწარ...დაწვრილებით -
MOSFET კარიბჭის წყაროს დაცვა
MOSFET-ს აქვს მრავალი უპირატესობა, მაგრამ ამავე დროს MOSFET-ს აქვს უფრო მგრძნობიარე მოკლევადიანი გადატვირთვის ტევადობა, განსაკუთრებით მაღალი სიხშირის აპლიკაციის სცენარებში, ასე რომ, ელექტროენერგიის გამოყენებისას MOSFET-ები უნდა განვითარდეს მისი ეფექტური დაცვის წრედის გასაძლიერებლად. ..დაწვრილებით
