WSD4098 ორმაგი N-არხი 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD4098 ორმაგი N-არხიანი 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET გამორჩეული სურათი

მოკლე აღწერა:

ეს არის მაგნიტური უკაბელო დენის ბანკი, რომელიც ავტომატურად ამოიცნობს Apple ტელეფონებს და არ საჭიროებს ღილაკების გააქტიურებას. იგი აერთიანებს 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC შეყვანის და გამომავალი სწრაფი დატენვის პროტოკოლებს. ეს არის უკაბელო სიმძლავრის ბანკის პროდუქტი, რომელიც თავსებადია Apple/Samsung-ის მობილური ტელეფონების სინქრონული გამაძლიერებლის/დაწევის კონვერტორებთან, ლითიუმის ბატარეის დატენვის მენეჯმენტთან, ციფრული მილის დენის ჩვენებასთან, მაგნიტურ უკაბელო დატენვასთან და სხვა ფუნქციებთან.

მოდელის ნომერი:WSD4098

BVDSS:40 ვ

RDSON:7.8mΩ

ID:22A

არხი:ორმაგი N-არხი

პაკეტი:DFN5*6-8

პროდუქტის შეჯამება:WSD4098 MOSFET-ის ძაბვა არის 40V, დენი 22A, წინააღმდეგობა 7.8mΩ, არხი არის Dual N-Channel და პაკეტი DFN5*6-8.

აპლიკაციები:ელექტრონული სიგარეტები, უკაბელო დამუხტვა, ძრავები, დრონები, სამედიცინო დახმარება, მანქანის დამტენები, კონტროლერები, ციფრული პროდუქტები, მცირე საყოფაცხოვრებო ტექნიკა, სამომხმარებლო ელექტრონიკა.

გამოკითხვის გაგზავნა PDF

პროდუქტის დეტალი

განაცხადი

პროდუქტის ტეგები

ზოგადი აღწერა

WSD4098DN56 არის უმაღლესი ხარისხის თხრილი Dual N-Ch MOSFET უჯრედის უკიდურესად მაღალი სიმკვრივით, რომელიც უზრუნველყოფს შესანიშნავ RDSON და კარიბჭის დამუხტვას სინქრონული ბუკ კონვერტორის აპლიკაციების უმეტესობისთვის. WSD4098DN56 აკმაყოფილებს RoHS და მწვანე პროდუქტის მოთხოვნას 100% EAS გარანტირებული სრული ფუნქციის საიმედოობით დამტკიცებული.

მახასიათებლები

მოწინავე მაღალი უჯრედის სიმკვრივის თხრილის ტექნოლოგია, სუპერ დაბალი კარიბჭის დამუხტვა, შესანიშნავი CdV/dt ეფექტის დაქვეითება, 100% EAS გარანტირებული, მწვანე მოწყობილობა ხელმისაწვდომია

აპლიკაციები

მაღალი სიხშირის დატვირთვის წერტილის სინქრონული, Buck Converter MB/NB/UMPC/VGA, ქსელური DC-DC დენის სისტემა, დატვირთვის გადამრთველი, ელექტრონული სიგარეტი, უკაბელო დამუხტვა, ძრავები, დრონები, სამედიცინო დახმარება, მანქანის დამტენები, კონტროლერები, ციფრული პროდუქტები, მცირე საყოფაცხოვრებო ტექნიკა, სამომხმარებლო ელექტრონიკა.

მასალის შესაბამისი ნომერი

AOS AON6884

მნიშვნელოვანი პარამეტრები

სიმბოლო	პარამეტრი		რეიტინგი	ერთეული
საერთო რეიტინგები
VDSS	გადინების წყაროს ძაბვა		40	V
VGSS	კარიბჭე-წყაროს ძაბვა		±20	V
TJ	შეერთების მაქსიმალური ტემპერატურა		150	°C
TSTG	შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი		-55-დან 150-მდე	°C
IS	დიოდური უწყვეტი წინა დენი	TA=25°C	11.4	A
ID	უწყვეტი გადინების დენი	TA=25°C	22	A
ID	უწყვეტი გადინების დენი			A
		TA=70°C	22
მე DM ბ	პულსის გადინების დენი გამოცდილია	TA=25°C	88	A
PD	მაქსიმალური დენის გაფრქვევა	T. =25°C	25	W
PD	მაქსიმალური დენის გაფრქვევა	TC=70°C	10	W
RqJL	თერმული წინააღმდეგობა - ტყვიის შეერთება	სტაბილური მდგომარეობა	5	°C/W
RqJA	თერმული წინააღმდეგობა-შეერთება გარემოსთან	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	თერმული წინააღმდეგობა-შეერთება გარემოსთან	სტაბილური მდგომარეობა ბ	90	°C/W
მე როგორც დ	ზვავის დენი, ერთჯერადი პულსი	L=0.5mH	28	A
E AS დ	ზვავის ენერგია, ერთჯერადი პულსი	L=0.5mH	39.2	mJ

სიმბოლო	პარამეტრი	ტესტის პირობები		მინ.	ტიპი.	მაქს.	ერთეული
სტატიკური მახასიათებლები
BVDSS	გადინების წყაროს დაშლის ძაბვა	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	ნულოვანი კარიბჭის ძაბვის გადინების დენი	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	ნულოვანი კარიბჭის ძაბვის გადინების დენი						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(ე)	კარიბჭის ბარიერი ძაბვა	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	კარიბჭის გაჟონვის დენი	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	± 100	nA
R DS(ON) ე	სანიაღვრე-წყაროების შტატის წინააღმდეგობა	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	მ ვ
R DS(ON) ე	სანიაღვრე-წყაროების შტატის წინააღმდეგობა	VGS=4.5V, IDS=12A		-	9.0	11	მ ვ
დიოდის მახასიათებლები
V SD ე	დიოდური წინა ძაბვა	ISD=1A, VGS=0V		-	0.75	1.1	V
trr	საპირისპირო აღდგენის დრო	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	საპირისპირო აღდგენის გადასახადი	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	13	-	nC
დინამიური მახასიათებლები ვ
RG	კარიბჭის წინააღმდეგობა	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
ცისი	შეყვანის ტევადობა	VGS=0V, VDS=20V, სიხშირე=1.0MHz		-	1370 წ	1781 წ	pF
კოსს	გამომავალი ტევადობა			-	317	-
Crss	უკუ გადაცემის ტევადობა			-	96	-
td (ჩართვა)	ჩართვის დაგვიანების დრო	VDD = 20 V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	ჩართვის ზრდის დრო			-	8	-
td (გამორთულია)	გამორთვის დაყოვნების დრო			-	30	-
tf	გამორთვა შემოდგომის დრო			-	21	-
კარიბჭის დამუხტვის მახასიათებლები ვ
Qg	სულ კარიბჭის გადასახადი	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	სულ კარიბჭის გადასახადი	VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	ბარიერი კარიბჭის მუხტი			-	2.6	-
Qgs	Gate-Source Charge			-	4.7	-
ქგდ	კარიბჭე-გადინების მუხტი			-	3	-