WSD100N15DN56G N-არხი 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

მოკლე აღწერა:

Ნაწილი ნომერი:WSD100N15DN56G

BVDSS:150 ვ

ID:100A

RDSON:6mΩ

არხი:N-არხი

პაკეტი:DFN5X6-8

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი PDF

პროდუქტის დეტალი

განაცხადი

პროდუქტის ტეგები

WINSOK MOSFET პროდუქტის მიმოხილვა

WSD100N15DN56G MOSFET-ის ძაბვა არის 150V, დენი 100A, წინააღმდეგობა 6mΩ, არხი N-არხია, პაკეტი კი DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET აპლიკაციის სფეროები

სამედიცინო კვების წყაროები MOSFET, PDs MOSFET, დრონები MOSFET, ელექტრონული სიგარეტები MOSFET, ძირითადი მოწყობილობები MOSFET და ელექტრო ხელსაწყოები MOSFET.

MOSFET პარამეტრები

სიმბოლო	Პარამეტრი	რეიტინგი	ერთეულები
VDS	გადინების წყაროს ძაბვა	150	V
VGS	კარიბჭე-წყაროს ძაბვა	±20	V
ID	უწყვეტი გადინების დენი, ვ_GS@ 10 ვ (ტ_C=25℃)	100	A
IDM	პულსირებული გადინების დენი	360	A
EAS	ერთჯერადი პულსი ზვავის ენერგია	400	mJ
P_D	ენერგიის სრული გაფანტვა..._C=25℃)	160	W
RthJA	თერმორეზისტენტობა, შეერთება-ატმოსფერო	62	℃/W
RθJC	თერმული წინააღმდეგობა, შეერთება-ქეისი	0.78	℃/W
TSTG	შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი	-55-დან 175-მდე	℃
T_J	ოპერაციული კვანძის ტემპერატურის დიაპაზონი	-55-დან 175-მდე	℃

სიმბოლო	Პარამეტრი	პირობები	მინ.	ტიპი.	მაქს.	ერთეული
BV_DSS	გადინების წყაროს დაშლის ძაბვა	V_GS=0V, I_D= 250 uA	150	---	---	V
RDS(ჩართული)	სტატიკური გადინების წყაროს წინააღმდეგობა²	V_GS=10V, I_D=20A	---	9	12	mΩ
VGS(ე)	კარიბჭის ბარიერი ძაბვა	V_GS=V_DS, ᲛᲔ_D= 250 uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	გადინების წყაროს გაჟონვის დენი	V_DS=100V, ვ_GS=0V, T_J=25℃	---	---	1	uA
IGSS	კარიბჭე-წყაროს გაჟონვის დენი	V_GS=±20 ვ, ვ_DS=0 ვ	---	---	± 100	nA
Q_g	სულ კარიბჭის გადასახადი	V_DS= 50 ვ, ვ_GS=10V, I_D=20A	---	66	---	nC
Q_gs	Gate-Source Charge		---	26	---
Q_gd	კარიბჭე-დრენის მუხტი		---	18	---
Td(on)	ჩართვის დაყოვნების დრო	V_DD= 50 ვ,V_GS= 10 ვ R_G=2Ω, I_D=20A	---	37	---	ns
T_r	ამაღლების დრო		---	98	---
Td (გამორთულია)	გამორთვის დაყოვნების დრო		---	55	---
T_f	შემოდგომის დრო		---	20	---
C_ისს	შეყვანის ტევადობა	V_DS= 30 ვ, ვ_GS=0V, f=1MHz	---	5450	---	pF
კოსს	გამომავალი ტევადობა		---	1730 წ	---
C_rss	უკუ გადაცემის ტევადობა		---	195	---