-
განსხვავება N-არხის MOSFET-სა და P-არხის MOSFET-ს შორის! დაგეხმარებით MOSFET-ის მწარმოებლების უკეთ არჩევაში!
მიკროსქემის დიზაინერებმა უნდა გაითვალისწინონ კითხვა MOSFET-ების არჩევისას: უნდა აირჩიონ P-არხის MOSFET თუ N-არხიანი MOSFET? როგორც მწარმოებელს, თქვენ უნდა გინდოდეთ, რომ თქვენი პროდუქცია კონკურენცია გაუწიოს სხვა სავაჭრო ობიექტებს დაბალ ფასებში და თქვენ...დაწვრილებით -
MOSFET-ის მუშაობის პრინციპის დიაგრამის დეტალური განმარტება | FET-ის შიდა სტრუქტურის ანალიზი
MOSFET არის ერთ-ერთი ყველაზე ძირითადი კომპონენტი ნახევარგამტარების ინდუსტრიაში. ელექტრონულ სქემებში MOSFET ზოგადად გამოიყენება დენის გამაძლიერებლის სქემებში ან გადართვის ელექტრომომარაგების სქემებში და ფართოდ გამოიყენება. ქვემოთ, OLUKEY მოგცემთ ...დაწვრილებით -
Olukey განმარტავს MOSFET-ის პარამეტრებს თქვენთვის!
როგორც ნახევარგამტარების სფეროში ერთ-ერთი ყველაზე ძირითადი მოწყობილობა, MOSFET ფართოდ გამოიყენება როგორც IC დიზაინში, ასევე დაფის დონის მიკროსქემის აპლიკაციებში. მაშ, რამდენად იცით MOSFET-ის სხვადასხვა პარამეტრების შესახებ? როგორც სპეციალისტი საშუალო და დაბალი...დაწვრილებით -
Olukey: მოდით ვისაუბროთ MOSFET-ის როლზე სწრაფი დატენვის ძირითად არქიტექტურაში
სწრაფი დამუხტვის QC-ის ელექტრომომარაგების ძირითადი სტრუქტურა იყენებს Flyback + მეორადი გვერდითი (მეორადი) სინქრონული რექტიფიკაციის SSR. Flyback-ის გადამყვანებისთვის, უკუკავშირის შერჩევის მეთოდის მიხედვით, შეიძლება დაიყოს: პირველადი მხარე (პრიმა...დაწვრილებით -
რამდენად იცით MOSFET პარამეტრების შესახებ? OLUKEY აანალიზებს მას თქვენთვის
"MOSFET" არის ლითონის ოქსიდის ნახევარგამტარული ველის ეფექტის ტრანზისტორის აბრევიატურა. ეს არის სამი მასალისგან დამზადებული მოწყობილობა: ლითონი, ოქსიდი (SiO2 ან SiN) და ნახევარგამტარი. MOSFET არის ერთ-ერთი ყველაზე ძირითადი მოწყობილობა ნახევარგამტარულ სფეროში. ...დაწვრილებით -
როგორ ავირჩიოთ MOSFET?
ახლახან, როდესაც ბევრი მომხმარებელი მოდის Olukey-ში MOSFET-ების შესახებ კონსულტაციისთვის, ისინი დასვამენ კითხვას, როგორ ავირჩიოთ შესაფერისი MOSFET? ამ კითხვასთან დაკავშირებით, ოლუკი ყველას უპასუხებს. უპირველეს ყოვლისა, ჩვენ უნდა გავიგოთ პრინცი...დაწვრილებით -
N-არხის გაუმჯობესების რეჟიმის MOSFET-ის მუშაობის პრინციპი
(1) vGS-ის საკონტროლო ეფექტი ID-ზე და არხზე ① vGS=0 შემთხვევა ჩანს, რომ არსებობს ორი ზურგის უკან PN შეერთება MOSFET-ის გაძლიერების რეჟიმის დრენაჟსა და წყაროს s შორის. როდესაც კარიბჭე-წყაროს ძაბვა vGS=0, მაშინაც კი, თუ ...დაწვრილებით -
ურთიერთობა MOSFET-ის შეფუთვასა და პარამეტრებს შორის, როგორ ავირჩიოთ FET-ები შესაბამისი შეფუთვით
① დანამატის შეფუთვა: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ② ზედაპირის დამაგრების ტიპი: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3; შეფუთვის სხვადასხვა ფორმა, MO-ს შესაბამისი ზღვრული დენი, ძაბვა და სითბოს გაფრქვევის ეფექტი...დაწვრილებით -
რას ნიშნავს შეფუთული MOSFET-ის სამი პინი G, S და D?
ეს არის შეფუთული MOSFET პიროელექტრული ინფრაწითელი სენსორი. მართკუთხა ჩარჩო არის სენსორული ფანჯარა. G pin არის დამიწების ტერმინალი, D პინი არის MOSFET-ის შიდა გადინება და S pin არის MOSFET-ის შიდა წყარო. წრეში,...დაწვრილებით -
დენის MOSFET-ის მნიშვნელობა დედაპლატის შემუშავებასა და დიზაინში
უპირველეს ყოვლისა, ძალიან მნიშვნელოვანია CPU სოკეტის განლაგება. უნდა იყოს საკმარისი ადგილი CPU ვენტილატორის დასაყენებლად. თუ ის ძალიან ახლოს არის დედაპლატის კიდესთან, რთული იქნება პროცესორის რადიატორის დაყენება ზოგიერთ შემთხვევაში, როდესაც...დაწვრილებით -
მოკლედ ისაუბრეთ მაღალი სიმძლავრის MOSFET სითბოს გაფრქვევის მოწყობილობის წარმოების მეთოდზე
სპეციფიკური გეგმა: მაღალი სიმძლავრის MOSFET სითბოს გაფრქვევის მოწყობილობა, მათ შორის ღრუ სტრუქტურის გარსაცმები და მიკროსქემის დაფა. მიკროსქემის დაფა მოწყობილია გარსაცმში. რამდენიმე გვერდიგვერდ MOSFET დაკავშირებულია მიკროსქემის ორივე ბოლოში...დაწვრილებით -
FET DFN2X2 პაკეტის ერთარხიანი P-არხიანი 20V-40V მოდელის მოწყობა_WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET DFN2X2-6L პაკეტი, ერთარხიანი P-არხიანი FET, ძაბვის 20V-40V მოდელები შეჯამებულია შემდეგნაირად: 1. მოდელი: WSD8823DN22 ერთი P არხი -20V -3.4A, შიდა წინააღმდეგობა 60mΩ შესაბამისი მოდელები: AOS3:AON0DMSe. ...დაწვრილებით
