როგორ ავირჩიოთ MOSFET?

არსებობს ორი ტიპის MOSFET, N-არხი და P-არხი. ენერგოსისტემებში,MOSFET-ებიშეიძლება ჩაითვალოს ელექტრო გადამრთველად. N-არხის MOSFET-ის ჩამრთველი ატარებს, როდესაც კარიბჭესა და წყაროს შორის დადებითი ძაბვა ემატება. ჩატარების დროს დენი შეიძლება გადამრთველში გადიოდეს დრენაჟიდან წყარომდე. არსებობს შიდა წინააღმდეგობა დრენაჟსა და წყაროს შორის, რომელსაც ეწოდება რეზისტენტობის RDS(ON).

 

MOSFET, როგორც ელექტრო სისტემის ძირითადი კომპონენტი, Guanhua Weiye გეტყვით, როგორ გააკეთოთ სწორი არჩევანი პარამეტრების მიხედვით?

I. არხის შერჩევა

პირველი ნაბიჯი თქვენი დიზაინისთვის სწორი მოწყობილობის არჩევისას არის იმის განსაზღვრა, გამოიყენოთ N-არხი თუ P-არხი MOSFET. ელექტროენერგიის აპლიკაციებში, MOSFET არის დამიწებული და დატვირთვა უკავშირდება მაგისტრალის ძაბვას, როდესაც MOSFET ქმნის დაბალი ძაბვის გვერდით გადამრთველს. N-არხის MOSFET-ები უნდა იქნას გამოყენებული დაბალი ძაბვის გვერდითი გადართვისას, მოწყობილობის გამორთვის ან ჩართვისთვის საჭირო ძაბვის გათვალისწინებით. მაღალი ძაბვის გვერდითი გადართვა უნდა იყოს გამოყენებული, როდესაც MOSFET უკავშირდება ავტობუსს და ჩატვირთავს მიწას.

 

II. ძაბვისა და დენის არჩევა

რაც უფრო მაღალია ნომინალური ძაბვა, მით უფრო მაღალია მოწყობილობის ღირებულება. პრაქტიკული გამოცდილების მიხედვით, ნომინალური ძაბვა უნდა იყოს უფრო დიდი ვიდრე მაგისტრალური ძაბვა ან ავტობუსის ძაბვა. მხოლოდ ამის შემდეგ შეუძლია უზრუნველყოს საკმარისი დაცვა MOSFET-ის გაუმართაობისგან. MOSFET-ის არჩევისას საჭიროა განისაზღვროს მაქსიმალური ძაბვა გადინებიდან წყარომდე.

უწყვეტი გამტარობის რეჟიმში,MOSFETარის მდგრად მდგომარეობაში, როდესაც დენი მუდმივად გადის მოწყობილობაში. პულსის მწვერვალები არის, როდესაც მოწყობილობაში დიდი ტალღები (ან პიკური დენები) მიედინება. მას შემდეგ, რაც ამ პირობებში მაქსიმალური დენი განისაზღვრება, უბრალოდ აირჩიეთ მოწყობილობა, რომელიც გაუძლებს მაქსიმალურ დენს.

 

მესამე, გამტარობის დაკარგვა

იმის გამო, რომ ჩართვის წინააღმდეგობა იცვლება ტემპერატურის მიხედვით, დენის დაკარგვა პროპორციულად იცვლება. პორტატული დიზაინისთვის უფრო ხშირია ქვედა ძაბვის გამოყენება, ხოლო სამრეწველო დიზაინისთვის შეიძლება უფრო მაღალი ძაბვის გამოყენება.

 

სისტემის თერმული მოთხოვნები

სისტემის გაგრილების მოთხოვნებთან დაკავშირებით, Crown Worldwide შეგახსენებთ, რომ გასათვალისწინებელია ორი განსხვავებული სცენარი, ყველაზე უარესი და რეალური სიტუაცია. გამოიყენეთ ყველაზე უარესი შემთხვევის გამოთვლა, რადგან ეს შედეგი უზრუნველყოფს უსაფრთხოების უფრო დიდ ზღვარს და იძლევა გარანტიას, რომ სისტემა არ ჩავარდება.

TheMOSFETთანდათან ცვლის ტრიოდს ინტეგრირებულ სქემებში მისი დაბალი ენერგიის მოხმარების, სტაბილური მუშაობისა და რადიაციის წინააღმდეგობის გამო. მაგრამ ის მაინც ძალიან დელიკატურია და მიუხედავად იმისა, რომ მათ უმეტესობას უკვე აქვს ჩაშენებული დამცავი დიოდები, ისინი შეიძლება დაზიანდეს, თუ ზრუნვა არ იქნება მიღებული. ამიტომ, უმჯობესია, ფრთხილად იყოთ აპლიკაციაშიც.