სწრაფი დატენვის ტექნოლოგია, როგორც თანამედროვე ელექტრონული აღჭურვილობის ძირითადი ნაწილი, სწრაფად ვითარდება და ვითარდება.სწრაფი დატენვის ბაზრით განპირობებული ინდუსტრიები, როგორიცაა სმარტფონები და ელექტრო მანქანები, სულ უფრო ითხოვენ სწრაფ და ეფექტურ დატენვის გადაწყვეტილებებს.ინოვაცია სწრაფი დატენვის ტექნოლოგიაში არა მხოლოდ ორიენტირებულია დატენვის სიჩქარის გაუმჯობესებაზე, არამედ ხაზს უსვამს უსაფრთხოებას.მომავლისკენ ვიხედებით, სწრაფი დატენვის ტექნოლოგია გაერთიანდება უსადენო დამუხტვასთან და ბატარეის უფრო ეფექტურ ტექნოლოგიასთან, რათა მიაღწიოს ხარისხობრივ ნახტომს და მოუტანს მომხმარებლებს უფრო მოსახერხებელი და ეკოლოგიურად სუფთა დატენვის გამოცდილებას.ტექნოლოგიის განვითარებით და ბაზრის გაფართოებით, სწრაფი დატენვის ინდუსტრია, სავარაუდოდ, გააგრძელებს სწრაფ ზრდას.
როდესაც ვსაუბრობთ განაცხადზეMOSFETსწრაფი დატენვის ტექნოლოგიაში რეალურად რამდენიმე თავის ტკივილია.
უპირველეს ყოვლისა, რადგან სწრაფი დატენვა მოითხოვს დიდ დენსMOSFETძალიან გაცხელდება და როგორ გავუმკლავდეთ ამ სიცხეს, დიდ პრობლემად იქცევა.შემდეგ, ასევე არის ეფექტურობის გამოწვევები.სწრაფად გადართვისას MOSFET ადვილად კარგავს ენერგიის ნაწილს, რაც გავლენას ახდენს დატენვის ეფექტურობაზე.გარდა ამისა, სწრაფი დამტენი მოწყობილობა იმედოვნებს, რომ იქნება რაც შეიძლება პატარა, მაგრამ ამისათვის საჭიროა MOSFET იყოს პატარა და ასევე გაუმკლავდეს სითბოს პრობლემას.იმის გამო, რომ MOSFET სწრაფად იცვლება, მან შეიძლება ხელი შეუშალოს სხვა ელექტრონულ აღჭურვილობას, რაც ასევე პრობლემაა.დაბოლოს, სწრაფი დატენვის გარემოს აქვს მაღალი მოთხოვნები MOSFET-ების ძაბვისა და დენის მიმართ, რაც მათი მუშაობის ტესტია.ამ გარემოში ხანგრძლივმა მუშაობამ შეიძლება ასევე იმოქმედოს მათი მომსახურების ვადაზე და საიმედოობაზე.მოკლედ, მიუხედავად იმისა, რომ MOSFET გადამწყვეტია სწრაფი დატენვისთვის, მას ბევრი გამოწვევა აქვს.
ვინსოკიMOSFET-მა შესაძლოა დაგეხმაროთ ზემოაღნიშნული პრობლემების გადაჭრაში.WINSOK MOSFET-ის ძირითადი აპლიკაციის მოდელები სწრაფი დატენვისას არის:
| Ნაწილი ნომერი | კონფიგურაცია | ტიპი | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | ცისი | პაკეტი | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | მაქს. | მინ. | ტიპი. | მაქს. | ტიპი. | მაქს. | (pF) | ||||
| Მარტოხელა | ნ-ჩ | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Მარტოხელა | პ-ჩ | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 წ | DFN3X3-8 | |
| Მარტოხელა | ნ-ჩ | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Მარტოხელა | ნ-ჩ | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Მარტოხელა | პ-ჩ | -30 | -8.2 | -1.5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 წელი | SOP-8 | |
| Მარტოხელა | პ-ჩ | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 წ | SOP-8 | |
| N+P | ნ-ჩ | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| პ-ჩ | -30 | -6 | -1 | -1.5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Მარტოხელა | ნ-ჩ | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 წ | TO-220 | |
სხვა ბრენდის მასალების ნომრები, რომლებიც შეესაბამება ზემოთ მოყვანილ WINSOK MOSFET-ს:
WINSOK MOSFET WSD3050DN-ის შესაბამისი მასალის ნომრებია:AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTSVINTFS48FAIRCHILD NTTSNAY0T4. პერიანი PSMN9R8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
WINSOK MOSFET WSD30L40DN-ის შესაბამისი მასალის ნომრებია:AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-2037PEA1.
WINSOK MOSFET WSP6020-ის შესაბამისი მასალის ნომრებია:AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens P5-DS.690du.
WINSOK MOSFET WSP16N10-ის შესაბამისი მასალის ნომრებია:AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
WINSOK MOSFET WSP4435-ის შესაბამისი მასალის ნომრებია:AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO44480IL,AO4803,AO44803OCHF,AO44803A,AO44803A,AO44803A,AO44803A,AO44803A,AO44803A,F. 5BZ,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST მიკროელექტრონიკა STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS4357.
WINSOK MOSFET WSP4407-ის შესაბამისი მატერიალური ნომრებია: AOS AO4407, AO4407A, AOSP21321, AOSP21307. Onsemi, FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics,3HP6PLLS3T, Microelectronics 6PLLS36,6PLS36,6PLLS3,30,6PLLS, S9P3LLH6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
WINSOK MOSFET WSP4606-ის შესაბამისი მასალის ნომრებია:AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FAIRCHILD ECH8661,FDS89AYYS. wer SM4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
WINSOK MOSFET WSR80N10-ის შესაბამისი მასალების ნომრებია:AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST მიკროელექტრონიკა STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR10PN086NX,IR10PN086NX,IR10PN306NX,IR10PN086NX,IR10PN086N1 5-100PS.TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
გამოქვეყნების დრო: ნოე-28-2023
