WINSOK MOSFET გამოიყენება სიჩქარის ელექტრონულ რეგულატორებში

განაცხადი

WINSOK MOSFET გამოიყენება სიჩქარის ელექტრონულ რეგულატორებში

ელექტრონიკისა და ავტომატიზაციის ინდუსტრიაში, გამოყენებაMOSFET-ები(ლითონ-ოქსიდი-ნახევრგამტარული საველე ეფექტის ტრანზისტორები) გახდა მთავარი ფაქტორი ელექტრონული სიჩქარის რეგულატორების (ESR) მუშაობის გასაუმჯობესებლად. ეს სტატია შეისწავლის, თუ როგორ მუშაობს MOSFET-ები და როგორ თამაშობენ ისინი მნიშვნელოვან როლს ელექტრონულ სიჩქარის კონტროლში.

WINSOK MOSFET გამოიყენება სიჩქარის ელექტრონულ რეგულატორებში

MOSFET-ის მუშაობის ძირითადი პრინციპი:

MOSFET არის ნახევარგამტარული მოწყობილობა, რომელიც რთავს ან გამორთავს ელექტრული დენის ნაკადს ძაბვის კონტროლის საშუალებით. სიჩქარის ელექტრონულ რეგულატორებში MOSFET-ები გამოიყენება როგორც გადართვის ელემენტები ძრავში დენის ნაკადის დასარეგულირებლად, რაც ძრავის სიჩქარის ზუსტი კონტროლის საშუალებას იძლევა.

 

MOSFET-ების გამოყენება სიჩქარის ელექტრონულ რეგულატორებში:

მისი შესანიშნავი გადართვის სიჩქარით და ეფექტური დენის კონტროლის შესაძლებლობებით, MOSFET-ები ფართოდ გამოიყენება სიჩქარის ელექტრონულ რეგულატორებში PWM (პულსის სიგანის მოდულაცია) სქემებში. ეს აპლიკაცია უზრუნველყოფს, რომ ძრავას შეუძლია სტაბილურად და ეფექტურად იმუშაოს სხვადასხვა დატვირთვის პირობებში.

 

აირჩიეთ სწორი MOSFET:

ელექტრონული სიჩქარის რეგულატორის შექმნისას, სწორი MOSFET-ის არჩევა გადამწყვეტია. გასათვალისწინებელი პარამეტრები მოიცავს გადინების წყაროს მაქსიმალურ ძაბვას (V_DS), მაქსიმალურ უწყვეტ გაჟონვის დენს (I_D), გადართვის სიჩქარეს და თერმული შესრულებას.

ქვემოთ მოცემულია WINSOK MOSFET-ების აპლიკაციის ნაწილის ნომრები სიჩქარის ელექტრონულ რეგულატორებში:

ნაწილის ნომერი

კონფიგურაცია

ტიპი

VDS

ID (A)

VGS(th)(v)

RDS(ON)(mΩ)

ცისი

პაკეტი

@10V

(V)

მაქს.

მინ.

ტიპი.

მაქს.

ტიპი.

მაქს.

(pF)

WSD3050DN

მარტოხელა

ნ-ჩ

30

50

1.5

1.8

2.5

6.7

8.5

1200

DFN3X3-8

WSD30L40DN

მარტოხელა

პ-ჩ

-30

-40

-1.3

-1.8

-2.3

11

14

1380 წ

DFN3X3-8

WSD30100DN56

მარტოხელა

ნ-ჩ

30

100

1.5

1.8

2.5

3.3

4

1350 წ

DFN5X6-8

WSD30160DN56

მარტოხელა

ნ-ჩ

30

120

1.2

1.7

2.5

1.9

2.5

4900

DFN5X6-8

WSD30150DN56

მარტოხელა

ნ-ჩ

30

150

1.4

1.7

2.5

1.8

2.4

3200

DFN5X6-8

 

მასალის შესაბამისი ნომრები შემდეგია:

WINSOK WSD3050DN შესაბამისი მატერიალური ნომერი:AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939NTTFS4CAY0NTn 8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P. NIKO-SEM PE5G6EA.

WINSOK WSD30L40DN შესაბამისი მასალის ნომერი: AOS AON7405,AONR21357,AONR7403,AONR21305C. STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMP1203EEA,PE507BA.

WINSOK WSD30100DN56 შესაბამისი მასალის ნომერი: AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP2,DPSiRA8 H5,STL58N3LLH5.INFINEON/IR BSC014N03LSG,BSC016N03LSG,BSC014N03MSG,BSC016N03MSG.NXP NXPPSMN7R0- 30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEMPK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.

WINSOK WSD30160DN56 შესაბამისი მატერიალური ნომერი: AOS AON6382,AON6384,AON6404A,AON6548.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4834N,NTMFS4C05N.TOSHIBA TPH2R903PL.KO50JMI Sem დუქტორი PDC3902X.

WINSOK WSD30150DN56 მასალის შესაბამისი ნომერი: AOS AON6512,AONS32304.Onsemi,FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.TOSHIBA TPH1R403NL.PANJIT PJQ52. NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.Potens Semiconductor PDC3902X.

 

ელექტრონული სიჩქარის რეგულატორის მუშაობის ოპტიმიზაცია:

MOSFET-ის ოპერაციული პირობებისა და მიკროსქემის დიზაინის ოპტიმიზაციის გზით, ელექტრონული სიჩქარის რეგულატორის მუშაობა შეიძლება კიდევ უფრო გაუმჯობესდეს. ეს მოიცავს ადეკვატური გაგრილების უზრუნველყოფას, შესაბამისი დრაივერის სქემის არჩევას და იმის უზრუნველყოფას, რომ წრეში არსებული სხვა კომპონენტები ასევე აკმაყოფილებენ შესრულების მოთხოვნებს.


გამოქვეყნების დრო: ოქტ-26-2023