ბოლო წლებში LED დისკის ელექტრომომარაგების ინდუსტრია ხასიათდება სწრაფი ტექნოლოგიური წინსვლით და ენერგიის დაზოგვის გადაწყვეტილებებზე მზარდი მოთხოვნით. მდგრადობის გლობალური სწრაფვით, LED განათების სისტემების ბაზარზე გამოყენება მნიშვნელოვნად გაიზარდა, რამაც, თავის მხრივ, ხელი შეუწყო LED ენერგიის ინდუსტრიის ზრდას.
ვიმსჯელებთ ბაზრის დინამიკიდან, ინდუსტრია მოწმეა LED დრაივერების ტენდენციის მოწმე, რომლებიც აერთიანებენ ინტელექტუალურ და პროგრამირებად ფუნქციებს ჭკვიანი განათების გადაწყვეტილებებზე მზარდი მოთხოვნის დასაკმაყოფილებლად. IoT (ნივთების ინტერნეტი) და AI (ხელოვნური ინტელექტი) გაჩენამ განათების ქსელები უფრო რთული გახადა, LED დრაივერებით, რომლებიც ოპტიმიზაციას უკეთებენ ენერგიის მოხმარებას და ადაპტირებენ ცვალებად პირობებს რეალურ დროში.
LED დრაივერების ელექტრო ინდუსტრიაში, ეფექტურობა და გადართვის სიჩქარეMOSFET-ები(მეტალის ოქსიდის ნახევარგამტარული საველე ეფექტის ტრანზისტორები) გადამწყვეტია. ეს ნახევარგამტარული მოწყობილობები LED კვების წყაროების განუყოფელი ნაწილია, რადგან მათ შეუძლიათ გაუმკლავდნენ მაღალ დენებს მინიმალური დანაკარგებით, რაც უზრუნველყოფს ენერგოეფექტურ მუშაობას. MOSFET ტექნოლოგიის ძირითადი ატრიბუტები, დაბალი წინააღმდეგობა და სწრაფი გადართვის შესაძლებლობები, აძლიერებს ელექტრომომარაგების დიზაინს, რაც უზრუნველყოფს კომპაქტურ, საიმედო და მაღალი ხარისხის LED დრაივერებს. MOSFET-ის დიზაინში მიღწევები, როგორიცაა ისეთები, რომლებიც უზრუნველყოფენ კარიბჭის დაბალ დამუხტვას და გაუმჯობესებულ თერმულ შესრულებას, განაგრძობენ LED განათების ენერგიის გადაწყვეტილებების განვითარებას მდგრად, ენერგოეფექტურ და ეკონომიურ აპლიკაციებზე ფოკუსირებით.
განაცხადისვინსოკიMOSFET LED მამოძრავებელი კვების წყაროში, ძირითადი გამოყენებული მოდელებია:
| ნაწილის ნომერი | კონფიგურაცია | ტიპი | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | ცისი | პაკეტი | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | მაქს. | მინ. | ტიპი. | მაქს. | ტიპი. | მაქს. | (pF) | ||||
| მარტოხელა | ნ-ჩ | 30 | 7 | 0.5 | 0.8 | 1.2 | - | - | 572 | SOT-23-3ლ | |
| ორმაგი | ნ-ჩ | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 43 | 52 | 870 | SOP-8 | |
| N+P | ნ-ჩ | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 26 | 36 | 670 | SOP-8 | |
| პ-ჩ | -60 | -4.5 | -1.5 | -2 | -2.5 | 60 | 75 | 500 | |||
| მარტოხელა | ნ-ჩ | 100 | 15 | 1.5 | 2 | 2.5 | 80 | 100 | 940 | TO-252 | |
| მარტოხელა | ნ-ჩ | 100 | 26 | 2 | 3 | 4 | 32 | 45 | 1350 წ | TO-252 | |
სხვა ბრენდის მასალების ნომრები, რომლებიც შეესაბამება ზემოთ WINSOK-სMOSFETარიან:
WINSOK MOSFET WST3400-ის შესაბამისი მასალის ნომრებია: AOS AO3400, AO3400A, AO3404. Onsemi, FAIRCHILD FDN537N. NIKO-SEM P3203CMG. პოტენსის ნახევარგამტარი PDN3912S. DINTEK ELECTRONICS DTS3406.
WINSOK MOSFET WSP6946-ის შესაბამისი მასალის ნომრებია: AOS AO4828, AOSD62666E, AOSD6810.Onsemi, FAIRCHILD FDS5351. Potens Semiconductor PDS6810. DINTEK ELECTRONICS DTM4946.
WINSOK MOSFET WSP6067-ის შესაბამისი მასალის ნომრებია: AOS AO4611, AO4612. Onsemi, FAIRCHILD ECH8690. P5506NV. Potens Semiconductor PDS6710. DINTEK ELECTRONICS DTM9906, DTM9908.
WINSOK MOSFET-ის შესაბამისი მასალის ნომრებია: AOS AO4611, AO4612.
WINSOK MOSFET WSF15N10 მასალის შესაბამისი ნომრებია: AOS AOD478, AOD2922.Potens Semiconductor PDD0956.
მასალის შესაბამისი ნომრებიWINSOK MOSFETWSF40N10 არის: AOS AOD2910E, AOD4126.Onsemi, FAIRCHILD FDD3672.NIKO-SEM P1210BDA, P1410BD.Potens Semiconductor PDD0904.DINTEK ELECTRONICS DTU40N1.
მთლიანობაში, LED დრაივერების ენერგეტიკული ინდუსტრია მზად არის მუდმივი ზრდისთვის, რომელიც განპირობებულია ენერგოეფექტურობით, მოწინავე ტექნოლოგიებით და ჭკვიანი და მდგრადი განათების გადაწყვეტილებების გლობალური კონვერგენციით.
გამოქვეყნების დრო: ნოე-06-2023
